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用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
1
作者
王梦笑
王光红
+3 位作者
赵雷
莫丽玢
刁宏伟
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期16-22,共7页
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对...
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。
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关键词
晶硅异质结
太阳电池
透明导电氧化物薄膜
多层TCO薄膜
载流子迁移率
功函数
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职称材料
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
2
作者
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品...
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
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关键词
光伏
铸造单晶硅
光致衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
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职称材料
题名
用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
1
作者
王梦笑
王光红
赵雷
莫丽玢
刁宏伟
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室
中国科学院
大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第11期16-22,共7页
基金
国家自然科学基金区域创新发展联合基金(U21A2072)
国家自然科学基金(62174161,61904180)
中国科学院战略性先导科技专项(XDA21060500)。
文摘
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。
关键词
晶硅异质结
太阳电池
透明导电氧化物薄膜
多层TCO薄膜
载流子迁移率
功函数
Keywords
silicon heterojunction
solar cells
transparent conductive oxide films
multilayer TCO films
carrier mobility
work function
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
2
作者
程尚之
周春兰
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室
中国科学院
大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874120)。
文摘
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
关键词
光伏
铸造单晶硅
光致衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
Keywords
photovoltaic
cast mono silicon
LID
LeTID
carrier lifetime
defects
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
王梦笑
王光红
赵雷
莫丽玢
刁宏伟
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
已选择
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