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一种基于秘密分享的非对称数字指纹体制
被引量:
3
1
作者
王彦
吕述望
刘振华
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期237-242,共6页
论文将秘密分享的思想用于非对称数字指纹的构造 ,提出了一种不使用安全多方计算协议的非对称数字指纹体制 .考虑到对用户合谋攻击的容忍性 ,结合一种随机指纹编码方法 ,将该体制改进成具有一定抗用户合谋攻击能力的非对称指纹体制 ,该...
论文将秘密分享的思想用于非对称数字指纹的构造 ,提出了一种不使用安全多方计算协议的非对称数字指纹体制 .考虑到对用户合谋攻击的容忍性 ,结合一种随机指纹编码方法 ,将该体制改进成具有一定抗用户合谋攻击能力的非对称指纹体制 ,该体制具有较好的实现效率 .
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关键词
非对称数字指纹体制
秘密分享
版权保扩
安全多方计算协议
随机指纹编码
抗攻击能力
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职称材料
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
被引量:
2
2
作者
段成华
柳美莲
《微纳电子技术》
CAS
2006年第4期203-208,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
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关键词
模拟IC
MOSFET建模
BSIM3模型
EKV模型
反型系数
短沟道效应
中间反型区
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职称材料
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
3
作者
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;...
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
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关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
SP2001模型
EKV模型
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职称材料
题名
一种基于秘密分享的非对称数字指纹体制
被引量:
3
1
作者
王彦
吕述望
刘振华
机构
中国科学院
研究生
院
(
电子学
研究所
)信息安全国家重点实验室
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期237-242,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划项目 (973
项目编号G19990 35 80 5 )
+1 种基金
国家高技术研究发展计划青年基金资助项目 (2 0 0 1AA14 0 4 4 7)
信息安全国家重点实验室创新基金资助项目
文摘
论文将秘密分享的思想用于非对称数字指纹的构造 ,提出了一种不使用安全多方计算协议的非对称数字指纹体制 .考虑到对用户合谋攻击的容忍性 ,结合一种随机指纹编码方法 ,将该体制改进成具有一定抗用户合谋攻击能力的非对称指纹体制 ,该体制具有较好的实现效率 .
关键词
非对称数字指纹体制
秘密分享
版权保扩
安全多方计算协议
随机指纹编码
抗攻击能力
Keywords
digital fingerprinting
secret sharing
secure multiparty computation
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
被引量:
2
2
作者
段成华
柳美莲
机构
中国科学院
研究生
院
系统集成中心
中国科学院研究生院电子学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第4期203-208,共6页
基金
国家863计划项目(2002AA141041)
文摘
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
关键词
模拟IC
MOSFET建模
BSIM3模型
EKV模型
反型系数
短沟道效应
中间反型区
Keywords
analog IC
MOSFET modeling
BSIM3 models
EKV models
inversion coefficient
short channel effects
moderate inversion region
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
3
作者
段成华
柳美莲
机构
中国科学院
研究生
院
信息
科学
与工程
学院
中国科学院研究生院电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
基金
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2002AA141041)
文摘
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
SP2001模型
EKV模型
Keywords
Analog IC
MOSFET modeling, BSIM3 model
SP2001 model
EKV model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于秘密分享的非对称数字指纹体制
王彦
吕述望
刘振华
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
下载PDF
职称材料
2
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
段成华
柳美莲
《微纳电子技术》
CAS
2006
2
下载PDF
职称材料
3
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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