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一种基于秘密分享的非对称数字指纹体制 被引量:3
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作者 王彦 吕述望 刘振华 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期237-242,共6页
论文将秘密分享的思想用于非对称数字指纹的构造 ,提出了一种不使用安全多方计算协议的非对称数字指纹体制 .考虑到对用户合谋攻击的容忍性 ,结合一种随机指纹编码方法 ,将该体制改进成具有一定抗用户合谋攻击能力的非对称指纹体制 ,该... 论文将秘密分享的思想用于非对称数字指纹的构造 ,提出了一种不使用安全多方计算协议的非对称数字指纹体制 .考虑到对用户合谋攻击的容忍性 ,结合一种随机指纹编码方法 ,将该体制改进成具有一定抗用户合谋攻击能力的非对称指纹体制 ,该体制具有较好的实现效率 . 展开更多
关键词 非对称数字指纹体制 秘密分享 版权保扩 安全多方计算协议 随机指纹编码 抗攻击能力
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超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型 被引量:2
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作者 段成华 柳美莲 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期203-208,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的... 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。 展开更多
关键词 模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区
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模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
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作者 段成华 柳美莲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期320-325,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;... 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。 展开更多
关键词 模拟集成电路 MOSFET建模 BSIM3模型 SP2001模型 EKV模型
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