低温等离子体对聚合物表面改性的研究

本文对低温等离子体作用在聚合物表面的机理做了简要介绍 ,指出这一过程有四种作用 :产生自由基 ,发生表面交联 ,引入极性官能团 ,表面变粗糙 ;对国内外利用等离子体对高分子材料的表面改性方法做了简要介绍 ,同时指出低温等离子体技术在各类高分子材料加工中的巨大应用前景。

低压等离子喷涂钨涂层性能的研究

用低压等离子喷涂技术在铜基体上制备出厚度大于1 mm的铜钨梯度钨涂层,对钨涂层性能研究结果表明,采用铜钨梯度方法可以使热膨胀系数不匹配的影响降低,梯度涂层呈层状结构,不易形成贯穿的裂纹;梯度涂层具有良好的导热性和耐热冲击性能,能承受9.6 MW/m2和200 s的脉冲,而铜基体温度低于200℃.真空等离子喷涂梯度涂层是制备核聚变面对等离子体材料的一种有效方法.

EAST装置等离子体逃逸电子同步辐射行为的实验研究

通过红外可见内窥镜诊断系统对EAST等离子体芯部逃逸电子的同步辐射功率谱进行了分析,得出低能段逃逸电子同步辐射主要在红外波段,随着逃逸电子能量的增加,同步辐射向短波方向移动进入可见光波段。在欧姆放电条件下,对逃逸电子同步辐射所产生的的红外可见光进行了成像分析,同时研究了EAST等离子体在低杂波和中性束注入加热条件下的逃逸电子行为。实验结果显示,低杂波和NBI的投入总体抑制电子的逃逸,但低杂波投入初期产生的快电子对逃逸电子的产生具有促进作用。

离子束介导甘蓝全DNA转化拟南芥菜的RAPD分析

在离子束介导甘蓝外源全DNA转化拟南芥菜的当代发现了 2株表型变异株 ,以其中的1株 (编号为T6)作为研究对象 ,用 40对 1 0碱基的随机引物对该株和其后代株进行RAPD分析 ,发现S1 68号引物对T6和其后代株的RAPD结果与对照相比有明显差异 ,说明离子束介导外源基因转化可以引起受体基因组变异 ,并且该变异有遗传性。对差异条带测序后同拟南芥菜基因组序列比对 。

低能离子注入对固态尿嘧啶损伤的初步研究

对２５ｋｅＶ氮、氩离子束辐照尿嘧啶（ｕｒａｃｉｌ）引起其分子结构的变化分别进行了研究，通过紫外光谱的分析，得到了离子注入后尿嘧啶的残余紫外吸收曲线，富里叶红外光谱仪的分析，说明尿嘧啶受到了一定程度的损伤；茚三酮反应的测定证明了氮、氩离子辐照后的样品中均产生了新的化学基团氨基。

二苯基六氟砷酸碘钅翁盐引发四氢呋喃的正离子光聚合

以二苯基六氟砷酸碘钅翁盐为引发剂,吖啶黄和安息香二甲醚为增感剂,在紫外光光照情况下,引发四氢呋喃(THF)进行了正离子聚合,讨论了吖啶黄和安息香二甲醚的增感机理,研究了二苯基六氟砷酸碘钅翁盐引发THF的后聚合反应。结果表明,在紫外光光照的情况下,二苯基六氟砷酸碘钅翁盐可以引发THF聚合,证明二苯基六氟砷酸碘钅翁盐是一种正离子光聚合引发剂;吖啶黄及安息香二甲醚对二苯基六氟砷酸碘钅翁盐引发THF聚合具有显著的增感作用;安息香二甲醚增感的二苯基六氟砷酸碘钅翁盐引发的THF后聚合具有明显的活性聚合趋势,转化率与特性黏数呈线性增长关系;通过紫外光引发聚合的方式可以制备相对分子质量分布为1·028、数均相对分子质量为1·004×104、转化率大于85%的聚四氢呋喃。

负离子源全固态大功率射频源功率控制策略分析

CRAFT NNBI负离子源中性束注入器需要大功率射频源为电感耦合方式的驱动线圈提供射频功率来产生等离子体.射频源的输出功率是影响射频离子源负离子束流参数的最直接因素,一种有效获得稳定负离子束流的方式就是调节射频源的输出功率.本研究依托于1 MHz/100 kW大功率全固态射频源,通过分析射频源的功率合成原理和功率控制策略,找到射频源功率控制分析思路和计算方法.推导出输出射频功率与投入功放模块的数量呈现二次关系,且随着输出功率增加功率调节精度呈下降趋势;在此基础上得到了射频源在不同输出功率下最小功率调节步长,并提出了输出功率线性化控制策略,最终验证了射频源的相关参数满足射频负离子源测试平台的使用需求.

La_2O_3弥散强化钨合金的组织性能研究

采用机械球磨的方法制备W-1%La2O3(质量分数,下同)复合粉体,将粉体在1823K烧结1h制备出La2O3增强钨合金。对材料的显微组织结构和力学性能进行分析,结果表明:显微组织均匀,氧化镧主要以微小的颗粒分布在钨-钨界面上,钨晶粒尺寸约为10μm～15μm;La2O3增强钨合金的抗弯强度值475MPa,在相同密度条件下,相对纯钨烧结体提高了35%。抗弯断口形貌表明,加入氧化镧颗粒后,钨合金的断裂方式发生了变化,由钨晶粒断裂为主转变为穿晶断裂和沿晶断裂的混合,同时分析讨论了氧化镧颗粒对合金组织性能的影响。

35kJ／7kW直接冷却高温超导磁储能系统

介绍了直接冷却高温超导磁储能(SMES)系统(35 kJ／7 kW)的总体结构和基本试验结果。该系统主要由超导磁体、低温系统、功率调节系统和监控系统组成。实验结果表明．通过直接冷却将储能磁体成功冷却到了20 K以下;储能磁体的直流临界电流达到150 A,临界储能量84 kJ,磁体中心场强4．5 T;监控系统和变流器能控制SMES与系统快速独立地在四象限进行有功功率和无功功率交换;在电力系统动态模拟实验中,SMES能有效抑制电力系统中因发电机机端短路故障引起的功率振荡。

N^+注入选育益生菌及其产酶条件的研究

出发菌株黑曲霉AN01,经离子束多次诱变得变异菌株AN02。结果表明,出发菌株AN01酸性蛋白酶、纤维素酶和果胶酶的酶活分别由原来的1 298U·mL-1、2 551U·mL-1和5 620U·mL-1相继提高到14 252U·mL-1、13 016U·mL-1和13 206U·mL-1。变异菌株AN02经传5代培养,产酶特性稳定。该菌株的最佳产酶条件为在培养基基础营养为麸皮、豆粕和玉米芯的条件下,最佳无机氮源为硫酸铵,最佳pH为5 0,最佳含水量为60%,最佳发酵温度为30℃,最佳发酵周期为96h。

RAPD分子标记及其在作物遗传育种中的应用

RAPD分子标记是一种新型的分子遗传标记 ,其原理是采用 1 0个碱基的随机引物 ,以基因组DNA为模板进行PCR随机扩增。其优越性在于其方法简单 ;分析中的花费少 ,用时短 ;分析所需的DNA用量也不多等。

N^+注入选育产蛋白酶益生菌及其生物学效应研究

试验研究了N+注入选育产蛋白酶益生菌及其生物学效应。经N+反复注入诱变筛选,突变高产菌株的酶活由出发菌株的75.8IU.g-1提高到631.6IU.g-1;利用中心组合设计原理摸索出了突变菌株最佳产酶条件:即麸皮24.83%,豆粕23.68%,水50%,硫酸铵1.49%,发酵温度30℃,发酵时间66h,培养基pH5.5。生物学效应研究发现:真空处理对活细胞有明显伤害;孢子存活率先是随着注入剂量加大而迅速降低,当注入剂量加大到50×2.6×1013ions/cm2时存活率出现平缓回升,注入剂量超过100×2.6×1013ions/cm2时存活率又再次开始下降;注入剂量越大,孢子突变率越高,中等注入剂量30×2.6×1013N+/cm3～80×2.6×1013N+/cm2可引起较高的正突变率;ESR谱研究结果表明,N+注入前和注入后都有自由基ESR波谱单一峰,随着注入剂量的增大,孢子内的自由基ESR波谱的强度也逐渐增大;SEM观察发现,未经N+注入的孢子较为完整、饱满且表面光滑,而经注入后的孢子表面粗糙,可见明显的刻蚀损伤和破壁现象,并且注入剂量越大,伤痕也越深宽。试验结果提示:N+注入是一种有效的动物益生菌选育方法。

P-型半导体探测器在放射治疗中的剂量特性研究

电子束半导体探测器的测量精度易受到射线的能量、剂量率、入射方向和环境温度等条件的影响。此外,电子束测量射野中半导体探测器的存在将干扰均匀射野剂量场的正常分布。通过对P-型电子束半导体探测器在不同的电子束照射条件下的实际剂量测量,定量地评估了不同照射条件下电子束半导体探测器的剂量特性,以及它对电子束均匀照射野扰动的影响。

N^+注入选育黑曲霉益生菌及其突变菌株产酶条件的研究

以益生菌株黑曲霉AN01为材料,经N+多次诱变得突变益生菌株AN03。结果表明,出发益生菌株AN01酸性蛋白酶、纤维素酶和果胶酶的酶活分别由原来的71.6Ug、141.7Ug和264.8Ug相继提高到996.5Ug、940.4Ug和906.5Ug。突变益生菌株AN03经传5代培养,产酶特性稳定。试验还研究了变突变益生菌株AN03最佳产酶条件,培养基为每升含麸皮105g,玉米芯105g,豆粕105g,氯化铵16g,pH5.0。30℃培养4d。

PVD涂层与未涂层硬质合金刀具切削力的对比试验研究

应用同型号未涂层、TiN涂层和TiCN涂层硬质合金刀具进行切削试验 ,用KISTLER三向测力仪、电荷放大器和PC机组成的切削力数据采集系统进行三向切削力采集。试验表明在切削过程中PVD涂层硬质合金刀具的切削力随刀具进给量、切削深度、切削速度的变化规律与未涂层硬质合金刀具相同 。

CT图像的体元大小对EGSnrc蒙特卡罗剂量计算的影响

目前的放射治疗计划系统采用经验或半经验常规剂量算法,计算得到的剂量分布不够精确,而蒙特卡罗剂量算法是一种精确的剂量计算方法,但其计算时间冗长问题最终影响临床的应用。本文基于一例病人头部电子计算机体层成像(Computer Tomography,CT)数据,应用EGSnrc(Electron Gamma Shower NRC,EGSnrc)蒙特卡罗程序,研究不同体元大小对剂量分布计算精度和计算时间等的影响。

N^+注入选育白腐菌及其降解油菜秸秆木质纤维素的研究

以白腐菌WY01为出发菌,利用N+注入技术选育出一株遗传性状稳定的漆酶高产诱变菌株WY02,经过60 d的发酵培养,其产酶量由出发菌的13.75 U/g增加到52.5 U/g,即产酶量提高了2.82倍;诱变菌株WY02对油菜秸秆中的木质素、半纤维素和纤维素的降解率分别为54.1%,39.1%,32.8%,用红外光谱法(IR)分析经诱变菌株降解后的油菜秸秆中木质素官能团的变化,用于阐明诱变菌株对油菜秸秆中木质素的生物降解机制。结果表明:油菜秸秆经白腐菌诱变菌株降解后,其木质素含量明显降低。木质素与苯环相连的C=O键、木质素侧链上CH2结构以及木质素单体(紫丁香基和愈创木基)被部分降解,木质素的苯环结构遭到一定程度的破坏。

Di-Ab-An、Q-Lc体系非平衡结晶及枝晶结晶学方向测试研究

本文对两个典型的硅酸盐体系:Di(透辉石)-Ab(钠长石)-An(钙长石)体系和Q(石英)-Lc(白榴石)体中结晶物相系进行了枝状形貌、枝体结晶学方向测试及结晶能力方面的研究。通过偏光显微镜(PL)、扫描电镜(SEM)观察发现:透辉石、低鳞石英、α-方石英都发育为枝晶,而斜长石发育成放射状球粒晶和针状晶体。通过电子背散射衍射(EBSD)测试确定出透辉石是沿<001>方向发育成枝晶的主干、低鳞石英是沿<100>和<010>方向发育成枝晶主干、α-方石英是沿两个<100>方向发育成枝晶的主干。并发现两个体系在相同降温速度下的结晶能力不同。