GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。

锂离子电池Li_(2)FeSiO_(4)正极材料的研究进展

作为锂离子电池正极材料之一,聚阴离子型硅酸亚铁锂(Li_(2)FeSiO_(4))具有理论容量高、成本低、稳定性好和对环境友好的特点,但电子电导率和Li^(+)传输速率偏低。从结构特点、制备方法(固相法、软化学合成法等)、改性方法(表面包覆、纳米化和离子掺杂等)、仿真模拟等方面,综述Li_(2)FeSiO_(4)正极材料的研究进展,并对研究方向和发展前景进行展望。