利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征

利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果.

钇铝石榴石上Mn-Co-Ni-O薄膜的制备及其相关特性表征

利用化学溶液法在具有良好导热性和红外透过性的钇铝石榴石单晶衬底上成功制备了具有单一尖晶石相的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4薄膜.傅里叶红外光谱测试表明薄膜在2.5~5μm波段具有明显的吸收带.通过研究其电阻-温度关系并利用最近邻跳跃模型进行拟合,得到薄膜的特征温度约为2 530 K,室温下的负电阻温度系数约为-3.66%K-1.

在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形（英文）

本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件下,窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330 nm,该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸.在通过HF和KOH溶液处理后,得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO图形的Si衬底,该图形适用于Ⅲ-Ⅴ半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长.这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和Si基Ⅲ-Ⅴ半导体异质外延.

传统二维电子气与石墨烯中的光电导谱

单层石墨烯是在室温下能存在的二维电子气,由于其线性色散关系与传统二维电子气相区别,在光、电、磁等多方面(如室温量子霍尔效应、高迁移率、高热导率和最小电导率等)表现出不同的输运行为,使其在微电子和透明导电膜方面有巨大的应用前景。采用在无规相近似下的介电函数来分析两类二维电子气系统中的光电导谱的异同。结果表明,包含两支能谱的体系中带间的跃迁对光电导起主要贡献,而两体系中带内的跃迁对光导的贡献很小。光谱的形状依赖于费米能级和由散射引起的能级展宽。当入射光的能量远高于2EF时,光电导趋于一常数,与实验结果一致。

锥型亚波长光栅在薄膜晶硅电池中的吸收增强效应分析

基于严格耦合波理论,从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出:在相同光栅高度下,虽然小周期(P=100nm)锥形亚波长光栅的表面反射率低于大周期(P=500nm)结构的表面反射率,但是大周期锥形亚波长光栅薄膜晶硅电池的光生载流子几率和理想光电转换效率高于小周期结构的相应值,且这种区别随着光栅高度增加而增加。在AM1.5D太阳光谱下,最优化的大周期光栅使得薄膜晶硅电池光生载流子几率和理想效率增加1.4倍和1.65倍,而最优化的小周期光栅只能分别增加0.54倍和0.48倍。