纳米级工艺对物理设计的影响

随着微电子技术的进步,超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点,因此为制造和设计都带来了很多难题,诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等,为了保证设计的进度和质量,就必须针对这些特点进行深入分析,并建立全新的分析设计方法和手段。