压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察

晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...

压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构

利用透射电子显微术（ＴＥＭ）观察了单晶 Ｓｉ维氏压痕区的结构转变平视和截面像相结合给出了压痕诱导 Ｓｉ非晶化的轮廓图．其区域为与医头相似的倒四棱锥金字塔形，但其棱边夹角小于相对应的压头相对棱夹角残留的压痕深度很浅，直接证明了Ｓｉ的压痕区具有很大的弹性回复量．