Eu(p-PBA)_3phen1/2H_2O的高分辨光谱和Raman光谱Eu(p-PBA)3phen1/2H2O的高分辨光谱和Raman光谱*张颖唐波金林培(北京师范大学化学系,北京100875)吕少哲黄世华(中国科学院激发

配合物Ｅｕ（ｐ－ＰＢＡ）３ｐｈｅｎ１／２Ｈ２Ｏ（ｐ－ＰＢＡ：对苯基苯甲酸酸根离子；ｐｈｅｎ：邻菲咯啉）在紫外光激发下，能发出很强的红色荧光．以Ｅｕ（Ⅲ）离子为光谱探针，７７Ｋ下测得其高分辨激发和发射光谱，选择激发配合物的５Ｄ０能级，得到两组不同的发光光谱，表明配合物中Ｅｕ（Ⅲ）离子有两种不同的化学环境．配合物的喇曼光谱中，羧基阴离子的反对称伸缩振动和对称伸缩振动谱带是明显分裂和带肩峰的宽带。

芘四磺酸四钠盐光物理性质的研究

本文利用吸收光谱、荧光光谱以及时间分辨瞬态吸收光谱研究芘四磺酸四钠盐的光物理特性．研究结果表明，芘四磺酸四钠盐在水溶液中的荧光量子产额高达０．５４．在纳秒时间分辨瞬态吸收光谱研究中发现芘四磺酸四钠盐具有很长的三重态寿命（３．５ｍｓ），这有利于将其作为光敏化分子把激发能传给其它受体分子；芘四磺酸四钠盐被光激发后，可能发生双光子吸收过程并产生芘四磺酸四钠盐阳离子，其吸收峰为４６０ｎｍ和５０５ｎｍ．由实验结果。

藻蓝蛋白(C-Pc)的三阶光学非线性和激发态弛豫

藻蓝蛋白（Ｃ－Ｐｃ）的三阶光学非线性和激发态弛豫＊刘志斌彭俊彪ａ）李文连（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）邓湘君（吉林省生物研究所，长春１３００１２）关键词藻蓝蛋白，χ（３）值，...

PyTS/MV^(2+)复合物光物理性质的研究

由于静电相互作用，ＰｙＴＳ溶液与ＭＶ２＋溶液混合后能形成ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋基态复合物，由吸收光谱滴定得到其组成成分为１１的二聚物；而由荧光光谱滴定得到ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋复合物组成成分不仅有１１的二聚物，而且还有１２的三聚物；由瞬态吸收光谱可观察到ＭＶ＋、ＰｙＴＳ＋的瞬态吸收峰，这表明ＰｙＴＳ／ＭＶ２＋复合物被光激发后，发生了由ＰｙＴＳ到ＭＶ２＋的电子转移过程；

LCoS反射层的实验研究

LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1μm以上)则容易形成“铝丘”,即出现多晶态的A1分布,一方面使A1膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。

新型掺铒钆硼硅酸盐玻璃的制备和光学性质的研究

用高温熔融法制备了成分为Gd2O3,SiO2,B2O3和Na2O的新型玻璃体系,探索了该玻璃体系的成玻范围,发现该系统在B2O3:20%以上,SiO2:0～50%,Gd2O3:0～30%的范围内均可形成完全透明的玻璃。在Gd2O3:30%,B2O3:60%和SiO2:60%,B2O3:30%两个组分附近时玻璃轻微失透。除此以外,在其他组分实验上没有得到玻璃。根据差热分析的数据,计算得到的玻璃析晶倾向参数β在0.32～1.76之间,说明含10%Gd2O3的钆硼硅酸盐玻璃具有较强的形成能力;利用McCumber理论计算出样品的吸收和受激发射截面,并从玻璃1.5μm的吸收光谱出发拟合出了J O参数,进而计算了Er3+离子各相关能级的理论振子强度、实验振子强度和自发辐射速率等参数。同时,用Er3+离子1 5μm发射光谱的半高全宽与其峰值发射截面的乘积值对含10%Gd2O3钆硼硅酸盐玻璃1.5μm发射的增益带宽作出了表征,结果表明,含10%Gd2O3玻璃体系的FWHM×σepeak值均大于已有报道的硅酸盐、磷酸盐和锗酸盐玻璃,其中最大值和氧氟硅酸盐玻璃的相差不多。

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ;

970nm LD激发Tm^(3+)、Yb^(3+)掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究

设计并制备了一种Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料，其组份为５０ＴｅＯ２－１４．９ＰｂＦ２－１０ＡＩＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱，在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色荧光，光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于１Ｇ４→３Ｈ６的跃迁，同时，还有两个较弱的红色发射源于１Ｇ４→３Ｈ４和３Ｆ４→３Ｈ６跃迁．测量并讨论了蓝色、红色上转换荧光强度与ＬＤ工作电流的关系．这个关系表明蓝色上转换发射需要三个光子参与，而红色（６６３ｎｍ）发射需要两个光子参与实现．

表面钝化技术对光学灾变的影响的研究

介绍了对半导体激光器的腔面进行钝化处理的方法 ,分别采用几种不同的试剂对腔面进行处理 ,得出不同的结果。实验表明 ,用P2 S5/NH4OH和 (NH4) 2 Sx 共同处理的样品在较高功率时开始发生光学灾变。

利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。

α-Si3N4单晶纳米带的光致发光及激发光谱研究

采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.

纳米PIC-I/azaPIC-I混合分子聚集体光学非线性的Z-扫描研究

引入胶体ＳＰ５４，在室温下形成了ＰＩＣ－Ｉ（１，１，ｄｉｅｔｈｙ１－２，２，－ｃｙａｎｎｉｎｅＰ－ｔｏｌｕｅｎｅｓｕｌ－ｆｏｎａｔｅ－Ｉｏｄｉｄｅ）／ａｚａＰＩＣ－Ｉ的Ｊ－聚集体．用Ｚ－扫描技术系统研究了室温下纳米ＰＩＣ－Ｉ／ａｚａＰＩＣ－Ｉ有机分子聚集体三种配比下的三阶光学非线性．观测到随着链长变短，样品的三阶非线性极化率增大．我们分析和讨论了这种非线性增强的机制．

射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．

980nm激发下Tm^(3＋)诱导的Gd^(3＋)上转换发光性质研究

通过简单温和水热法,制备了系列Tm3+/Yb3+共掺GdF3粉末。用X射线衍射仪和场发射扫描电镜对样品进行了结构和形貌表征。在980 nm半导体连续激光二极管激发下,用荧光光谱仪对氩气保护下退火后的粉末样品进行了上转换发射光谱表征。粉末上转换发光动力学过程是在脉冲(脉宽10 ns,重复频率10 Hz)YAG∶Nd激光器激发光参量振荡器至980 nm激发下研究的,发光信号由单色仪和示波器记录。文章主要讨论了Gd3+的311.6 nm(6P7/2→8S7/2)的发光动力学行为。发光动力学分析结果表明:在980 nm激发下,Gd3+,作为一种基质离子,其发光是由Yb3+作为一级敏化离子通过多步能量传递把能量传递给Tm3+使其布居至3P2能级;然后Tm3+作为二级敏化离子通过能量传递过程3P2→3H6(Tm3+):8S7/2→6IJ(Gd3+)把能量传给Gd3+;进一步,Gd3+与Yb3+或Tm3+之间通过能量传递过程布居至高激发多重态6DJ能级;最后,可观察到Gd3+的激发态6D9/2,6IJ,6P5/2及6P7/2至基态8S7/2的发射。同时,Tm3+在其自身发光过程中也充当激活剂,除了3P2及1I6至3H6的发射外,其他发射不作研究。文章还研究了基质Gd3+依赖于Yb3+浓度、Tm3+浓度、退火温度及激发功率密度的紫外上转换发光性质。

Yb^(3+)∶Pr^(3+)∶ZBLAN光纤中4f5d上转换激发的理论研究

利用粒子数速率方程和相关的辐射跃迁理论,计算了Yb3+∶Pr3+∶ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级两步上转换激发的动力学过程。得到不同Pr3+掺杂浓度下,激发光的光谱强度和粒子数密度的纵向分布和有效光纤长度随激发光的光谱强度的变化关系。另外,还得到了4f5d荧光强度与入射光强、光纤长度和Pr3+掺杂浓度的关系,给出了激发效率与激发光的光谱强度和Pr3+掺杂浓度的关系。

制备水溶性CdS量子点的一种物理方法：飞秒激光烧蚀法

用Ti/sapphire飞秒激光系统产生的100fs、800nm激光对置于水中的CdS体相材料进行烧蚀,得到了水溶性CdS纳米粒子。这种纯物理过程保证了无污染的制备环境,从而保证了所合成材料的纯洁性。通过透射电子显微镜、紫外/可见/近红外吸收光谱、室温光致发光谱的方法对CdS量子点的形貌及其光学性质进行了表征。结果表明:利用飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点可直接分散在水中而且具有粒径小、分布均匀的特点;同时具有较好的胶体稳定性,可在空气中稳定存放6个月以上。飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点所具有的这些性质使其在生物标记领域引起极大的兴趣,而且也为纳米材料的制备提供了新的思路。

白光LED荧光粉涂敷工艺及光学性质

在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高,而光通量呈非线性增加,流明效率逐渐下降。

新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉

首次报道单一Sr2MgSiO5∶Eu2+材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0.33,y=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。