电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征

研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10^(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm^2·V^(-1)·S^(-1),载流子浓度N是1.51×10^(17)cm^(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。