CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

ＣｄＳ半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究窦恺，赵家龙，靳春明，孙聆东，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室，长春１３００２１）向卫东，丁子上（浙江大学材料科学工程系，杭州３１００２７）１引言ＣｄＳ半导体微晶作为代表性介观材...

激发相干态及其叠加态与二能级原子的作用研究

本文研究了光场初态为激发相干态或其叠加态时强度耦合Jaynes－Curnmings模型的动力学演化。对原子反转以及光场的反聚束效应进行了讨论．

高场下发光中心激发能级上电子的离化

讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的深度。同时还考虑了碰撞和温度对发光中心离化的影响，计算并比较了场致离化、碰撞离化及热辅助离化的几率。结果发现。

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．

聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯的光控取向研究

研究了向列相液晶ＬＣ－Ｅ７０分子在肉桂酸酯类材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯（ＣＥＭＣ）光控取向层上的排列特性、液晶盒中向错的类型及产生的原因，从理论上计算了这种取向层的方位表面锚定能的数量范围。

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于超晶格中界面效应引起Ｍｎ＋＋离子间交换相互作用改变所致．

有机光子选通烧孔材料中受体浓度对光致填孔的影响研究

研究了光谱烧孔的填孔过程，在几种有机电子转移型永久性烧孔材料中，得到了光谱烧孔的光擦除过程中孔的擦除程度随样品中受体浓度的减少而减弱，并受擦孔光的光子能量影响，同时与受体本身性质有关的实验结果．得出填孔过程也是一种电子转移过程的结论，并提出了一个能级模型对实验结果进行了分析．

阴极射线辐照纯绿GaP发光二极管中深能级的研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了阴极射线辐照 GaP 纯绿发光二极管(LED)中的深能级,测量到两个激活能为0.45 eV、0.66 eV 的电子陷阱和一个激活能为0.33 eV 的空穴陷阱。证实了0.66 eV 的电子陷阱和0.33 eV 的空穴陷阱与辐照引起的晶格缺陷有关,同时发现阴极射线辐照引起谱峰加宽。

Cd_3Al_2Ge_3O_（12）：Mn^（2＋）锗酸盐石榴石光谱性质

本文报道室温下Ｃｄ３Ａｌ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｍｎ（２＋）（简称ＣＡＧＧ：Ｍｎ（２＋））锗酸盐石榴石的漫反射光谱、激发和发射光谱．在ＵＶ光激发下，在ＣＡＧＧ中Ｍｎ（２＋）离子发射强黄光，这是基质到Ｍｎ（２＋）离子无辐射能量传递的结果．Ｍｎ（２＋）的黄发射带是由一个弱的红带和一个强的绿带所组成．讨论了这两个Ｍｎ（２＋）发射带的起因．

SiO_2凝胶中氯代苯甲酸铽稀土配合物发光性能

采用溶胶－凝胶法，以掺杂和浸渍两种方式制备了含有氯代苯甲酸铽配合物的ＳｉＯ２凝胶发光体．讨论了不同制备条件和不同取代位置对发光强度的影响，研究了它们的激发光谱、发射光谱及荧光寿命，并与其固体粉末进行了比较．

ZnSe－ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为１．１ＭＷ／ｃｍ２和６：１．根据测量得到的ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论，归结ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化．

连续光谱飞秒光脉冲的产生

本文报道了在较低的泵浦功率密度（１０１０Ｗ／ｃｍ２）产生光谱连续覆盖（４００～８７０）ｎｍ、持续时间为８０ｆｓ、重复频率为８ｋＨｚ的高重复频率“白光”超短脉冲的实际实验系统。

用不同强度皮秒脉冲相关技术测量甲酚紫吸收恢复时间

以Ar^+离子锁模激光器同步泵浦R6G染料激光器作光源,用不同强度皮秒脉冲相关的泵涌—探测技术测得甲酚紫甲醇溶液的吸收恢复时间为162±3.5ps.并且用三能级模型对这一动力学过程进行了理论分析.

玻璃基质中ZnS纳米晶Mn^(2+)的EPR谱

用融熔法制备分散有ＺｎＳ：Ｍｎ２＋纳米晶的纳硼硅（Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２）玻璃在不同温度、时间对样品进行退火处理，得到不同尺寸的纳米晶．研究了玻璃基质中ＺｎＳ：Ｍｎ２＋纳米晶的ＥＰＲ谱、微波功率饱和ＥＰＲ谱及发射光谱，发现Ｍｎ２＋有二种组态，即替位组态和间隙位组态．分析结果表明替位组态Ｍｎ２＋及周围立方晶场的畸变程度直接影响光学发光特性．

K_2Ln(NO_3)5·2H_2O(Ln=Pr,Nd)的晶体结构和非线性光学性质

本文采用水溶液中生长晶体的方法合成了ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ，Ｎｄ）的单晶，研究了ＫＰｒＮ的单晶结构及ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ，Ｎｄ）的非线性光学性质。ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ，Ｎｄ）均属正交晶系，Ｆｄｄ２空间群。ＫＰｒＮ的晶胞参数为：ａ＝２．１４１１（３）ｎｍ，ｂ＝１．１２２１０（１０）ｎｍ，ｃ＝１．２２０８（２）ｎｍ，Ｚ＝６，Ｒ＝０．０２４０．ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ，Ｎｄ）的二次谐波光强与ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ）处于同样的数量级．ＫＬｎＮ容易生长出大尺寸晶体，是一类有应用前景的可产生蓝绿光的倍频转换材料。

用非相干光时间延迟四波混频测量甲酚紫皮秒布居弛豫时间

用相共轭配置的非相干光时间延迟四波混频技术测量了甲醇中甲酚紫的皮秒布居弛豫时间T_1大约为157ps.这个结果与用相干光锁模脉冲的泵浦—探测技术测得的结果符合得比较好.

ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽．

含杂环的聚(间亚苯乙烯)发光材料的合成及其器件的发光性能

通过双锍盐前驱聚合法合成了含杂环的聚(2,5-二苯基-1,3,4-噁二唑)-3,3’-乙烯(M-PPV),讨论了其较佳的合成路线.构造了ITO/M-PPV/A1型电致发光器件,与未取代的PPV所构器件ITO/PPV/A1发黄绿光相比,含杂环的聚(2,5-二苯基-1,3,4-噁二唑)-3,3’-乙烯(M-PPV)发光材料所构器件发蓝光.XPS光电子能谱和量子力学MINDO/3的模拟计算初步解释了两种材料的发光差别.

活性氧自由基对固氮酶（钼铁蛋白）的损伤

本文报道了棕色固氮菌固氮酶（钼铁蛋白）经四甲基乙二胺－过硫酸铵体系产生的活性氧自由基（Ｏ，·ＯＨ）作用后，Ｍｏ，Ｆｅ原子脱落，金属原子簇被打碎，α螺旋度下降，可见吸收光谱明显降低，凝胶电泳谱带加宽，荧光强度下降的情况．实验表明，Ｏ，·ＯＨ对钼铁蛋白的影响具有比氧钝化更严重的不可逆损伤作用。

老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响

测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光谱中观测到６５０ｎｍ和１２６０ｎｍ发光带，发现１２６０ｎｍ发光带的发光强度随老化时间的增加而增强。实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了ＧａＰ纯绿ＬＥＤ的发光效率。