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高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证
被引量:
1
1
作者
高金明
李垚
《电子器件》
CAS
2011年第2期132-136,共5页
针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGe HBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGe HBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5 GHz,电流增益为45,与理论结果基本符合。
关键词
SIGE
HBT
漂移扩散模型
波尔兹曼模型
电子温度
复合效应
速度饱和效应
下载PDF
职称材料
题名
高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证
被引量:
1
1
作者
高金明
李垚
机构
中国科技大学微电子实验室
出处
《电子器件》
CAS
2011年第2期132-136,共5页
基金
安徽省自然科学基金项目(090412029)
文摘
针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGe HBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGe HBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5 GHz,电流增益为45,与理论结果基本符合。
关键词
SIGE
HBT
漂移扩散模型
波尔兹曼模型
电子温度
复合效应
速度饱和效应
Keywords
SiGe HBT
DDM(Drift Diffusion Mode)
BTM(Boltzmann Model)
electron temperature
recombination effect
velocity saturation effect
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证
高金明
李垚
《电子器件》
CAS
2011
1
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