DRAM技术研究进展述评

本文论述了近年来ＤＲＡＭ技术的研究发展情况。

全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究

分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 。