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调制掺杂结构的光反射光谱研究
1
作者
汤寅生
江德生
+2 位作者
庄蔚华
孔梅影
徐英武
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期53-57,共5页
测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结果与理论分析符合得较好.
关键词
掺杂
异质结
反射光谱
MBF
半导体
下载PDF
职称材料
题名
调制掺杂结构的光反射光谱研究
1
作者
汤寅生
江德生
庄蔚华
孔梅影
徐英武
机构
中国科技大学物质结构中心和基础物理中心
中国科
学院半导体研究所超晶格微
结构
国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期53-57,共5页
文摘
测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结果与理论分析符合得较好.
关键词
掺杂
异质结
反射光谱
MBF
半导体
Keywords
n-GaAlAs/GaAs heterojunction
photoreflectance
Two-dimensional electron gas
MBE
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
调制掺杂结构的光反射光谱研究
汤寅生
江德生
庄蔚华
孔梅影
徐英武
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
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