据驱动产品物资保障业务转型升级

数字化转型已成为当今商业和社会领域的当务之急。企业和组织需要通过采用数字化工具和战略,以适应不断变化的市场需求,实现生产效率的提高和降本增效。通过探究新形势下数字化新技术、新理念给型号产品物资保障业务带来的冲击和挑战,展示中国航天宇航元器件工程中心以业务发展为牵引、以大数据应用为核心、以元器件全生命周期的数据信息化建设为抓手,全面支撑产品科研生产模式向数字化、网络化、智能化转型的建设思路和策略。

微波电路互联用金丝键合界面空间高低温特性演化研究

金丝材料应用于航天器小型化微波模块等产品的电路封装中,金丝键合界面受高低温环境影响易产生性能变化从而影响服役可靠性。本文对金丝界面高低温特性的演化规律进行了研究,包括空间温度环境模拟试验后的界面与成分迁移、界面层厚度变化、键合金丝拉伸剪切力与失效模式演变,得出不同温度条件处理后的金铝键合界面微观组织变化规律。结果表明高低温循环试验后金丝界面仍保持较高的结合强度,一定程度的金属间化合物生长提高了键合界面强度。高温贮存试验中,随着贮存时间的增加,金丝界面层IMC(Intermetallic Compound)厚度和金属间化合物不断增长,失效破坏位置越来越多地出现在键合界面处,铝金属化层附近的金含量因扩散而增高,金铝键合界面处IMC界面层厚度的增加降低了界面结合强度。

基于PFMEA的集成电路芯片银导电胶粘接工艺可靠性研究

微电子封装中,芯片银导电胶粘接工艺的质量会直接影响集成电路的可靠性。针对银导电胶粘接工艺的可靠性问题,本文提出了一种基于PFMEA的芯片粘接工艺风险识别方法,通过开展潜在失效模式分析,找到了芯片粘接工艺中的高风险环节,并制定了相应控制方法,有效提升了芯片粘接工艺质量,为微电子封装工艺开展PFMEA分析提供参考依据。

科研事业单位国有资产管理问题研究及解决路径

在我国经济快速发展的社会背景下,国家财政以及地方财政都投入了大量的资金用于科技创新,使科研事业单位拥有非常充足的资金开展科研事业,但是同时国家也在不断提升对国有资产管理工作的要求。同时,从科研事业单位内部来说,由于其国有资产的保值增值和使用效率与国有资产运行质量存在密切联系,要求科研事业单位必须高质量完成各项国有资产的管理工作。文章将在充分考虑国有资产管理政策及法规的前提下,首先阐述科研事业单位国有资产管理的重要性,然后对现阶段科研事业单位国有资产管理存在的重购置轻管理、无法规范使用和管理资产、资产管理队伍建设不足、监管机制不完善、资产共享程度较低、资产管理信息化水平低等问题进行分析,最后结合相关问题制定完成科学资产管理观念的树立、完善资产管理体系、加强资产管理人才培养、完善资产管理监管机制、推进设备共享、建立资产协同管理平台等对策,希望能够使国有资产流失得到避免,使国有资产更加充分地发挥作用,保证科研事业单位健康发展。

宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。

空间真空环境下密封电磁继电器的触点失效研究

密封电磁继电器有其固有的漏率,在应用于空间真空环境下由于气体泄漏使得其内部气体压力逐渐降低,导致继电器的触点在低气压环境下工作失效(负载切换时)。文章选择国产继电器样品对上述机理进行了试验验证,并对继电器内部气体压力与触点电弧失效的规律进行了研究。

重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究

针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。

太阳帆表面薄膜空间电子辐照性能研究

太阳帆是十分有利于深空探测的一种新型飞行器,帆面采用超轻薄的薄膜材料,提高飞行器的推进性能。帆面材料长期暴露在空间,由于长期受到空间粒子辐射环境的影响,性能发生退化影响在空间的应用。研究空间电子与薄膜相互作用的机理,分析电子沉积剂量,通过地面模拟不同剂量的空间电子辐照环境,对辐照后新型超薄帆面材料力学性能的研究,满足太阳帆在空间应用要求。结果表明:超薄聚酰亚胺薄膜材料,在厚度及辐照力学性能得到了较大的突破,但断裂伸长率仍需提升,电子辐照后性能略有下降,耐辐照性能也需进一步提高。

物资保障为东方红一号筑牢坚强后盾

2020年是中国第一颗人造地球卫星东方红一号发射成功50周年,50年来,从东方红一号实现零的突破到如今中国航天的“群星闪耀”,物资保障始终是型号研制中重要的基础保障工作,在确保型号成功中发挥着关键的作用。

基于期刊文献数据可视化分析的我国碳纤维研究进展

文献计量学是针对某一时期某一领域研究成果(论文),利用数学统计方法呈现研究现状、评述技术热点、分析预测发展趋势的一门学科[1-2]。文献计量方法始于1917年,最早应用于解剖学领域[2]。近年来,随着计算机和网络技术的发展,文献计量方法已广泛应用于图书馆学、情报学、经济学、医学、药学、科学学、材料学等人文社科和科学技术领域[3-7]。

空间近紫外辐照聚酰亚胺薄膜力学性能演化机理

空间近紫外辐射环境可造成航天器用聚酰亚胺(PI)薄膜力学性能将发生变化。本文利用空间综合辐照地面模拟试验装置和热重分析、X射线光电子能谱(XPS)分析等微观测试对空间近紫外辐射环境下均苯型PI薄膜力学性能演化与机理进行了研究。研究发现,均苯型PI薄膜的抗拉强度和断裂伸长率随着近紫外曝辐量的增加先降低后增加,最后趋于稳定;由热重分析可知,近紫外辐照后PI薄膜的热重损失温度出现明显下降;由XPS分析可知,分子键的断裂和交联是PI力学性能变化的主要原因,在近紫外辐照初期以断裂为主,随着近紫外曝辐量的增加,以交联为主。

超薄聚酰亚胺薄膜研究与应用进展

从制备工艺、应用进展以及发展趋势等方面综述超薄型聚酰亚胺薄膜近年来基础研究与应用的发展情况,着重介绍了超薄型聚酰亚胺薄膜在空间以及微电子领域的应用。最后,结合中国科学院化学研究所在超薄型聚酰亚胺薄膜领域内的研究进展,对发展我国的超薄型聚酰亚胺薄膜产业提出了建议。

空间领域用高性能聚酰亚胺薄膜现状与发展

新型材料发展是推动航天器发展的动力之一。聚酰亚胺薄膜被誉为新一代的"黄金膜",广泛应用于航天航空、电子封装、新能源等重要领域。文章以航天器特殊环境用薄膜材料需求为背景,重点介绍几种新型聚酰亚胺薄膜特性及其在航天器中的应用,给出了高性能聚酰亚胺薄膜材料在空间领域里的应用前景。

MOSFET单粒子烧毁引起的DC/DC电源变换器功能失效试验研究

文章利用回旋加速器产生的Kr离子,对双路输出的DC/DC电源变换器开展了单粒子效应试验研究,分析了在空载和加载两种偏置条件下的试验结果,指出内部功率MOSFETs器件的漏-源端电压在单粒子辐照条件下超出了器件的击穿电压是导致DC/DC电源变换器单粒子功能失效的直接原因,最后给出了航天器电源系统抗辐射设计和功率MOSFETs器件选用建议。

热熔型聚酰亚胺薄膜的热封性能研究

针对现有商用聚酰亚胺(PI)薄膜无法采用热熔工艺进行粘接的问题,采用异构化二酐单体、2,3,3',4'-二苯醚四酸二酐(a-ODPA)分别与7种芳香族二胺单体通过化学亚胺化工艺制备了PI薄膜(PI-1～PI-7),系统研究了这些PI薄膜的结构与性能的关系。结果表明:a-ODPA的不对称结构赋予了PI薄膜良好的热塑性特征,使之可以采用热熔工艺进行粘接,薄膜间的热封强度最高可达660 N/m;此外,制备的PI薄膜还具有良好的耐热性能与力学性能,5%失重的温度超过500℃,玻璃化转变温度超过230℃,薄膜拉伸强度超过89 MPa。

一种串并转换器件单粒子效应试验研究

针对型号用新型器件抗辐射能力评估的需要,研制了串并转换器件单粒子效应检测系统,并对卫星型号中准备使用的一款26位串并转换器件进行了单粒子效应评估试验,得到了器件抗单粒子锁定的阈值,并发现该器件在单粒子辐照下会出现连续位输出错误。结合器件版图、结构分析了单粒子效应造成连续位错误的原因,为器件厂家后续设计改进和卫星型号进行系统级抗辐射加固设计提供了依据。

航天用安装铜导线熔断特性研究

文章研究了航天用安装铜导线的熔断特性与其过载电流的对应关系。首先通过物理模型获得铜导线的理论熔断特性曲线;再结合航天的实际使用条件,采用Shooting Method以及最小方差法对物理模型进行修正,获得等效热传导系数kq值;建立与kq值相关的熔断特性曲线,给出导线在大气环境和真空环境下长期通电不发生熔断的最大电流密度值。研究结果可为安全使用安装导线提供参考。

从宇航用户角度谈几点电磁继电器质量控制建议

从宇航用户的角度分析电磁继电器质量控制需要关注的环节,为针对性的提高产品质量控制水平提供指导建议。通过分析某宇航用户近年来的质量保证数据,总结电磁继电器在验收、补充筛选和使用阶段的质量问题,分析了问题产生原因,并从产品设计和生产过程质量控制、检验试验和使用指导等方面提出了质量控制措施建议。

宇航用某新型膜式熔断器应用验证方法设计与实现

新型膜式熔断器作为电路保护的关键元件在电子系统中应用广泛,为满足航天应用的需求,对新型膜式熔断器可靠性及适用性也提出了更高的性能指标要求。通过对熔断器功能性能进行分析,结合航天工程中实际电路设计时的应用需求,针对宇航用新型膜式熔断器首创性设计了应用验证评价指标与验证方法,首次实现了对新型熔断器在航天工程应用中的适用性及可靠性评价,可作为航天工程应用的指导依据。

星载Flash型FPGA单粒子翻转加固试验研究

针对低等级器件抗辐射能力较差的特点,需开展应用加固以满足宇航应用,对一款Flash型现场可编程门阵列(FPGA)开展抗单粒子翻转(SEU)加固设计,并利用地面模拟试验进行加固效果验证,结果表明器件加固后块随机存储器(BRAM)区翻转截面下降近2个数量级,寄存器单粒子翻转截面下降约75%,验证了加固措施的有效性。结合典型轨道环境,计算了器件在轨翻转率,BRAM区翻转率下降4～5个量级,寄存器翻转率下降2～3个量级,可为在轨应用提供指导。