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基于自偏置技术的高速SERDES芯片PLL设计
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作者 林美东 文治平 张健 《微处理机》 2016年第3期1-4,9,共5页
设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用。环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易... 设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用。环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易的产生Ser Des中CDR所需要的多相位时钟。采用TSMC-0.25μm CMOS工艺实现了该PLL的设计,工作频率范围是1.6-2.7GHz,并成功应用于一款SERDES芯片中。 展开更多
关键词 自偏置 锁相环 宽输入范围 CMOS工艺 高速 SERDES芯片
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