IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究

硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.

新型薄膜热电变换器的误差分析及其设计制作

交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与加热电阻之间的寄生电容、减小因热电效应、寄生电容和介质损耗引起的交直流转换误差,从而具有较高的测温灵敏度.其次研究新型薄膜热电变换器设计制作中的关键工艺,加热电阻辐射的热量使得微机械桥平均温度上升,轴向压应力增加(或拉应力减小),谐振频率减小,通过测量微桥谐振频率的变化获得加热器的温度信息,而温度测量元件从加热电阻汲取的热量极小.这种新型薄膜热电变换器的测量输出量为频率信号,受电路噪声影响很小,因此是一种高计量精度的薄膜热电转换器.