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多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析
被引量:
5
1
作者
吴文光
范广涵
+2 位作者
沈为民
金尚忠
徐时清
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期651-654,共4页
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器...
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
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关键词
垂直腔面发射半导体激光器
多量子阱
阈值电流密度
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职称材料
题名
多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析
被引量:
5
1
作者
吴文光
范广涵
沈为民
金尚忠
徐时清
机构
中国计量学院信息工程学院光电子系
华南师范大学
光电子
材料与技术研究所
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期651-654,共4页
基金
国家科技攻关项目(00-068)
文摘
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
关键词
垂直腔面发射半导体激光器
多量子阱
阈值电流密度
Keywords
VCSEL
multi-quantum well
threshold current density
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析
吴文光
范广涵
沈为民
金尚忠
徐时清
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
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职称材料
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