一种小型高精度脉冲式半导体激光测距仪

介绍了一种小型、低成本的脉冲式半导体激光测距仪,该测距仪采用了定比例鉴别（CFD）和时间放大技术,有效地减少了因接收信号辐度变化而引起的漂移误差和晶振时钟计时的误差。当接收脉冲信号辐度在0.2～2.2V范围内变化时,该测距仪可获优于±7cm的单次测量精度。

〈100〉正面开口快速湿法腐蚀释放悬浮结构的研究

设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系。在水浴温度80°C条件下,120min后,〈100〉开口膜系由50%KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整无粘连的悬浮结构。在〈100〉快速腐蚀释放原理基础上,制备了基于〈100〉开口的测辐射热计与红外热电堆悬浮单元结构。

隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。

非晶硅薄膜的红外热敏特性

用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系.综合考虑非晶硅电阻率和电阻温度系数两个因素,采用掺杂比0.025,退火温度600℃的薄膜样品进一步研究.