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残余应力检测技术及其应用
1
作者
侯晓东
黄照文
+3 位作者
高建波
吴桂毅
张瑞尧
张书彦
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第8期41-54,共14页
随着我国工业水平的不断提升,残余应力问题日益受到重视。准确测试和控制残余应力可以实现改善材料性能、提升尺寸精度、延长寿命等目的,进而提升关键工程构件的安全性和可靠性。因此,残余应力检测技术在航空航天、核电、船舶等领域发...
随着我国工业水平的不断提升,残余应力问题日益受到重视。准确测试和控制残余应力可以实现改善材料性能、提升尺寸精度、延长寿命等目的,进而提升关键工程构件的安全性和可靠性。因此,残余应力检测技术在航空航天、核电、船舶等领域发挥着重要作用,为工程构件力学性能研究和安全评估提供关键数据支持。总结了目前常用的残余应力检测技术的原理、适用范围、优缺点等,讨论了选择残余应力检测技术时需考虑的主要因素,指出了残余应力检测技术在科研和应用领域的发展趋势。
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关键词
残余应力检测
中子衍射
轮廓法
X射线衍射
同步辐射
深孔法
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职称材料
基于静力悬浮原理的单晶硅球间微量密度差异精密测量方法研究
被引量:
3
2
作者
王金涛
刘子勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期374-381,共8页
单晶硅球间微量密度差异测量是阿伏伽德罗常数量子基准定义的重要研究内容,也是半导体产业中高纯度单晶硅制备工艺质量控制的主要方法.为了改善现有非接触相移干涉法测量装置复杂和静力称重法测量不确定度低的特点,根据单晶硅密度精密...
单晶硅球间微量密度差异测量是阿伏伽德罗常数量子基准定义的重要研究内容,也是半导体产业中高纯度单晶硅制备工艺质量控制的主要方法.为了改善现有非接触相移干涉法测量装置复杂和静力称重法测量不确定度低的特点,根据单晶硅密度精密测量需要,实现了一种基于静力悬浮原理的单晶硅球密度相对参比测量方法.通过改变静压力和温度进行三溴丙烷和二溴乙烷混合液体密度的微量调节,分别使两个待测单晶硅球在液体中悬浮,根据悬浮状态时的液体温度和悬浮高度计算出待测单晶硅球密度差值.通过双循环水浴和PID温度控制系统实现±100μK的恒温液体测量环境.通过图像识别和迭代拟合算法实现单晶硅球悬浮高度的测量.使用PID静压力控制系统实现单晶硅球的稳定悬浮控制,同时减少Joule-Thomson效应引起的液体温度改变.利用静力悬浮模型中的温度变化和静压力变化线性关系准确测量出标准液体的压缩系数.试验结果表明,这种测量方法可以避免液体液面张力的影响,测量相对标准不确定度达到2.1×10(-7),能够实现单晶硅球密度差值的精密测量.
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关键词
单晶硅球
密度差值
精密测量
静力悬浮
原文传递
题名
残余应力检测技术及其应用
1
作者
侯晓东
黄照文
高建波
吴桂毅
张瑞尧
张书彦
机构
中国计量科学研究院力学与声学计量科学技术研究所
东莞材料基因高等理工
研究院
东莞理工学院材料
科学
与工程学院
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第8期41-54,共14页
基金
国家重点研发计划项目(2023YFB4606200)
广东省基础与应用基础研究重大专项项目(2020B0301030001)。
文摘
随着我国工业水平的不断提升,残余应力问题日益受到重视。准确测试和控制残余应力可以实现改善材料性能、提升尺寸精度、延长寿命等目的,进而提升关键工程构件的安全性和可靠性。因此,残余应力检测技术在航空航天、核电、船舶等领域发挥着重要作用,为工程构件力学性能研究和安全评估提供关键数据支持。总结了目前常用的残余应力检测技术的原理、适用范围、优缺点等,讨论了选择残余应力检测技术时需考虑的主要因素,指出了残余应力检测技术在科研和应用领域的发展趋势。
关键词
残余应力检测
中子衍射
轮廓法
X射线衍射
同步辐射
深孔法
Keywords
residual stress measurement
neutron diffraction
contour method
X-ray diffraction
synchrotron radiation
deep hole drilling method
分类号
TG115 [金属学及工艺—物理冶金]
下载PDF
职称材料
题名
基于静力悬浮原理的单晶硅球间微量密度差异精密测量方法研究
被引量:
3
2
作者
王金涛
刘子勇
机构
中国计量科学研究院力学与声学计量科学技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期374-381,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:51105347)
质检公益性行业科研专项项目(批准号:AHY0711)
国家科技支撑项目(批准号:2011BAI02B03)资助~~
文摘
单晶硅球间微量密度差异测量是阿伏伽德罗常数量子基准定义的重要研究内容,也是半导体产业中高纯度单晶硅制备工艺质量控制的主要方法.为了改善现有非接触相移干涉法测量装置复杂和静力称重法测量不确定度低的特点,根据单晶硅密度精密测量需要,实现了一种基于静力悬浮原理的单晶硅球密度相对参比测量方法.通过改变静压力和温度进行三溴丙烷和二溴乙烷混合液体密度的微量调节,分别使两个待测单晶硅球在液体中悬浮,根据悬浮状态时的液体温度和悬浮高度计算出待测单晶硅球密度差值.通过双循环水浴和PID温度控制系统实现±100μK的恒温液体测量环境.通过图像识别和迭代拟合算法实现单晶硅球悬浮高度的测量.使用PID静压力控制系统实现单晶硅球的稳定悬浮控制,同时减少Joule-Thomson效应引起的液体温度改变.利用静力悬浮模型中的温度变化和静压力变化线性关系准确测量出标准液体的压缩系数.试验结果表明,这种测量方法可以避免液体液面张力的影响,测量相对标准不确定度达到2.1×10(-7),能够实现单晶硅球密度差值的精密测量.
关键词
单晶硅球
密度差值
精密测量
静力悬浮
Keywords
silicon single crystal sphere, density difference, precise measurement, hdrostatic suspension
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
残余应力检测技术及其应用
侯晓东
黄照文
高建波
吴桂毅
张瑞尧
张书彦
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
基于静力悬浮原理的单晶硅球间微量密度差异精密测量方法研究
王金涛
刘子勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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