杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。

介质覆盖的极性膜内电子-光学声子相互作用

本文对半无限媒质覆盖的极性晶体中晶格振动的光学极化模进行严格的理论分析,发现除通常的体横光学模、纵光学模以外,还存在四支类表面光学本征模。进一步导出了膜内屯子与光学声子相互作用的哈密顿量,重点讨论了电子与表面光学声子相互作用的性质。

电子动量谱学的进展

电子动量谱学是新近发展起来的充满希望的一个前沿领域.它在研究原子和分子的结构,以及在研究固体薄膜的光、电、磁性能时,显示出独特的、为现有其它方法所没有的优点.国外已经进行了多年的实验和理论研究,成果相当显著.有相当一部分物理和化学家分析和预言:在90年代,电子动量谱学将有更大的进展,其成果将渗透到多个学科.在国内,这一研究也已经在进行中,并得到了可喜的进展.本文对电子动量谱学的基本原理、基本的实验方法、基本的理论方法、已经取得的进展以及应用前景作了简要的叙述.

复杂原子的(e,2e)碰撞理论

将氢原子的(e,2e)碰撞的多重散射展开理论进一步推广,使之适用于复杂原子的(e,2e)碰撞。

二维费密液体理论(Ⅰ)

通过关于二维低密度费密系统准粒子寿命和二维巡游电子系的自旋涨落的计算,本文证明朗道费密液体理论适用于二维相互作用费密粒子系。

二维费密液体理论(Ⅱ) ~3He朗道参数的计算

本文采用相关基波函数(CBF)方法研究了二维~3He液体的性质。基于集团展开利用配分函数的变分原理,将这一方法推广到有限温度情形。从Lennard-Jones势出发,在二级微扰近似下数值计算了二维~3He液体的基态能、准粒子谱和朗道参数。

二维费密液体理论(Ⅲ) 输运性质和声传播特性

本文研究了二维费密液体的输运性质和声传播特性,得到了扩散系数、粘滞系数和热导率的微观表达式以及零声和第一声的有关结果。通过对碰撞积分的讨论,认为须用一系列弛豫时间参数来描述二维液体,这与在三维情形可用一个唯象参数来描述不同。

稳恒电、磁场中量子阱内极化子的基态能量

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分波函数相结合的方法，研究处于与生长轴方向平行的稳恒电、磁场中量子阱内的电子——体纵光学声子相互作用系统。得到系统包括二级微扰修正的、作为量子阶宽度、电子－声子耦合常数以及电、磁场强度函数的基态能量表达式。结果表明：对电子基态能量的极化影响，随阱宽及电场强度的增大而减弱，而随磁场强度的增大而增强。

反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量

用非线性数值分析方法，计算反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量。结果表明：其值比正向导引场时更小，对应的平衡态电子束质量，一般都优于正向导引场情况下的电子束质量；而在反谐振点，类熵量剧增，电子束质量严重变坏，从计算得到的结论，与美国麻省理工学院的实验结果定性上一致。

平滑激光脉冲诱导的阈上离化

阈上离化(above-threshold ionization)是近年来发现的一种新现象。本文在基本态模型基础上利用非微扰理论研究了高斯型激光脉冲诱导的阈上离化,讨论了其特征光电子能谱随时间的演化。

GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d_0,d_(30),d_(10)(val)和d_(10)(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d_0的计算结果与实验结果的比较中,多方面地验证了本方法及其结果的合理性。

包含自电离过程的阈上离化

多电子原子都存在自电离过程,本文研究了存在自电离时的阈上离化过程,利用一个简化模型得到了光电子谱的解析表达式。结果表明,自电离的存在使阈上离化过程更为复杂,导致许多新现象的产生。

强场自电离中自发辐射谱的功率增宽

本文在强场自电离模型中计及自电离态的光致离化衰变,重新计算了自发辐射谱,发现了显著的功率增宽现象。这一结果与简单模型下的计算结果有很大差异。

高阶离化对强激光场诱导自电离的影响

本文讨论了以往强激光诱导自电离理论所忽略的二阶以上的高阶离化效应,得到了自电离谱的解析表达式,详细研究了高阶离化的影响。结果表明,当激光场足够强时,高阶离化使自电离谱和自电离态的缀饰态产生显著变化。

用力定理计算hcp-WC的基态性质

本文用Kohn-Sham局域密度泛函理论与力定理,在线性丸盒轨道原子球(LMTO-ASA)近似下,计算了hcp-WC的基态性质,包括平衡晶格常数a,体模量B和纵声波速率v。计算结果与实验值对比表明,晶格常数的误差小于10％,讨论了原子球半径比δ的不同选择方案对计算结果的影响。由电子分波压力随晶格常数的变化,分析了hcp-WC的键合特性。

二维极化子在磁场中的基态能量

谐振子算符的代数运算方法被用于研究磁场中同时与表面光学声子及表面声学声子相互作用的二维电子。得到二维极化子在强磁场中直至四级微扰的基态能量以及它在任意强经磁场中的二级微扰基态能量表达式。结果发现,对磁场中二维极化子基态能量的影响中,表面声学声子有着与表面光学声子同样的甚至更为突出的贡献,是不容忽视的。

激光场的空间非均匀性对阈上离化的影响

本文在基本态模型中计及激光场的空间非均匀性,得到了与实验相吻合的结果.

远红外自由电子激光器的带宽扩展

本文研究了波导尺寸、电子束能量、摇摆器周期及磁场强度对波导型自由电子激光带宽的扩展作用．文中给出了带宽约４００μｍ的远红外（工作波长６００～１０００μｍ）自由电子激光振荡器的设计参数，并对有关工程问题进行了讨论．

Ga_(1-x)Al_xAs光学声子形变势研究

本文用LMTO-ASA能带技术结合新的虚晶近似处理方法和冻结声子模型,计算了三元合金Ga_(1-x)Al_xAsΓ点的光学声子形变势(ODP)do及v轴上ODP的d_(30),d_(10)(val)和d_(10)(cond),预言了它们作为Al组分x的函数关系,发现这些ODP都可用x的二次方程表示,其中d_0随x增加而减小的弯曲参数很小,是近乎线性的,理论预言了x≈0.65处d_(10)(val)=d_(10)(cond),因而d_(30)/d_(10)比值在此组分下发散。表明在此组分下,Ga_(1-x)Al_xAs体系的二带项对E_1—E_1+△_1能隙的一级共振Raman散射的贡献可以被忽略。

各向异性扩散DLA的标度性质

本文利用坐标变换的方法讨论了各向异性扩散对DLA集团标度行为的影响。对二维正方形点阵,解析计算了各向异性扩散DLA集团的Hausdorff维数。结果表明,此时生长集困的Hausdorff维数D随各向异性扩散概率p连续变化,其最大值为5/3,最小值为3/2,还将这里所得到的理论结果与Jullien等人的数值结果进行了比较,发现它们符合得很好。最后,还解析讨论并计算了各向异性扩散DLA的广义维数D_q(p)。