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N-乙酰半胱氨酸对CD4^+中央记忆性T细胞体外扩增的影响 被引量:1
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作者 武双鑫 罗海华 +1 位作者 张辉 刘超 《中山大学学报(医学科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期577-581,共5页
【目的】探讨小分子药物(N-乙酰半胱氨酸,NAC)对CD4+中央记忆性T细胞(TCM)体外扩增的影响从而改善过继免疫治疗的效果。【方法】体外分离人类的外周血CD4+T淋巴细胞,将细胞分为两组(实验组和对照组)进行细胞培养,实验组加入N-乙酰半胱... 【目的】探讨小分子药物(N-乙酰半胱氨酸,NAC)对CD4+中央记忆性T细胞(TCM)体外扩增的影响从而改善过继免疫治疗的效果。【方法】体外分离人类的外周血CD4+T淋巴细胞,将细胞分为两组(实验组和对照组)进行细胞培养,实验组加入N-乙酰半胱氨酸后,通过流式细胞仪和细胞计数仪对两组细胞中的CD4+TCM的扩增情况进行检测。【结果】在CD4+T细胞体外扩增实验中,10 mmol/L的NAC为促进细胞扩增的最佳浓度;NAC对TCM在CD4+T细胞中的比例无明显的影响;在CD4+T细胞扩增的第15天检测其中TCM的细胞数量,对照组中TCM的数量为(7.24±0.54)×105,实验组中TCM的数量为(5.13±0.47)×106,较之对照组,其TCM的数量有着7倍左右的扩增;对上述两组数据进行统计学分析(t检验),P<0.01,表明差异具有统计学意义;对上述两组细胞进行凋亡检测,发现实验组中凋亡细胞的比例低于对照组。【结论】NAC可有效地促进CD4+TCM细胞的扩增,为过继免疫治疗提供简单、安全及有效的体外扩增方法 。 展开更多
关键词 N-乙酰半胱氨酸 中央记忆性T细胞 过继免疫治疗
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MicroRNA-4279通过靶向核心启动子区域上调Notch-1基因表达进而抑制细胞凋亡
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作者 彭高 黄卓琼 +2 位作者 罗海华 刘超 张意军 《中山大学学报(医学科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期641-649,共9页
【目的】寻找与Notch-1基因核心启动子结合的micro RNA(miRNA)并阐明其调控功能,研究免疫细胞肿瘤的发生发展机制。【方法】首先使用生物信息学手段筛选与Notch-1基因核心启动子区域结合的miRNA,进而利用荧光素酶报告系统对其调控作用... 【目的】寻找与Notch-1基因核心启动子结合的micro RNA(miRNA)并阐明其调控功能,研究免疫细胞肿瘤的发生发展机制。【方法】首先使用生物信息学手段筛选与Notch-1基因核心启动子区域结合的miRNA,进而利用荧光素酶报告系统对其调控作用进行实验验证;通过突变核心启动子上的结合位点进一步确定该miRNA特异性靶向基因核心启动子区域。检测转染该miRNA后H9细胞中Notch-1的mRNA与内源蛋白表达水平。另外通过转染该miRNA并用H2O2诱导凋亡,研究该miRNA对H9细胞凋亡的影响。进一步在上述实验条件下,使用siRNA降低靶基因(Notch-1)的表达,然后检测miRNA对H9细胞系的凋亡的影响。【结果】首先通过软件预测,我们发现了miR-4279可以与Notch-1的核心启动子序列结合。荧光素酶报告实验表明miR-4279可以增强Notch-1启动子的转录活性;而在miR-4279的靶位点引入突变后,该增强作用消失。RT-qPCR和Western Blot实验表明miR-4279能够显著增强内源Notch-1 mRNA与蛋白的表达。H2O2诱导凋亡实验表明,miR-4279可以抑制H9细胞的凋亡。siRNA干扰实验表明,当Notch-1通路被抑制后,miR-4279导致的细胞凋亡抑制的效果消失。【结论】miR-4279通过靶向Notch-1基因核心启动子区域,特异性增加Notch-1基因的表达,进而增强H9细胞对H2O2诱导的凋亡的抗性。 展开更多
关键词 miR-4279 核心启动子 Notch-1基因 凋亡 H9细胞系
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