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基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下的延时误差分析
被引量:
1
1
作者
杨岳彬
左文龙
+3 位作者
保延翔
刘树郁
李龙飞
熊小敏
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期132-136,共5页
分析了基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下进行内耗测量时的系统误差,指出这一误差主要来源于测控系统中的电路延时和机械波传播延时。提出测量系统总延时的方法,并应用实验测量得到的系统总延时对测量结果进行了修正,从而使基于扭摆...
分析了基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下进行内耗测量时的系统误差,指出这一误差主要来源于测控系统中的电路延时和机械波传播延时。提出测量系统总延时的方法,并应用实验测量得到的系统总延时对测量结果进行了修正,从而使基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下得到更为准确的的固体内耗及液体黏度。
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关键词
内耗
黏度
扭摆
强迫振动
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职称材料
外延晶体硅薄膜太阳电池的器件模拟及性能优化的研究
被引量:
6
2
作者
艾斌
张勇慧
+1 位作者
邓幼俊
沈辉
《中国科学:技术科学》
EI
CSCD
北大核心
2012年第11期1318-1329,共12页
由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,...
由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,我们采用了更符合实际情况的器件结构和参数设置.在此基础上,全面系统地研究了背表面场(back surface field,BSF)层、基区和发射区参数、晶体硅活性层电学质量、电池表面钝化情况、电池内部复合情况和pn结漏电情况等对外延晶体硅薄膜太阳电池光电性能的影响.在影响外延晶体硅薄膜太阳电池效率的众多因素中,辨认出对电池效率影响幅度最大的3个参数依次是基区少子扩散长度、二极管暗饱和电流和正表面复合速度.通过模拟还发现,基区不是越厚越好,基区厚度的选择必须要考虑基区少子扩散长度的值.当基区少子扩散长度较小时,基区的最佳厚度应小于或等于基区少子扩散长度;当基区少子扩散长度较大时,基区少子扩散长度应至少是最佳基区厚度的2倍.此外,本文不但对模拟结果的现象进行了描述,还深化解释了其变化的物理机制.由于外延晶体硅薄膜太阳电池在器件结构上与晶体硅太阳电池具有很大的相似性,所以本文的结论在某种程度上对晶体硅太阳电池特别是当下研究最热门的薄硅片太阳电池也是适用的.
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关键词
太阳电池
晶体硅薄膜太阳电池
器件模拟
PC1D模拟
原文传递
题名
基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下的延时误差分析
被引量:
1
1
作者
杨岳彬
左文龙
保延翔
刘树郁
李龙飞
熊小敏
机构
中山大学
信息科学
与技术
学院
中山大学
光电
材料与
技术
国家
重点
实验室
∥
广东省
光
伏
技术
重点
实验室
∥物理科学与工程
技术
学院
中山大学
东校区教学
实验
中心
出处
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期132-136,共5页
基金
国家自然科学基金面上资助项目(10974259)
高校基本科研业务费资助项目(09lgpy29)
文摘
分析了基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下进行内耗测量时的系统误差,指出这一误差主要来源于测控系统中的电路延时和机械波传播延时。提出测量系统总延时的方法,并应用实验测量得到的系统总延时对测量结果进行了修正,从而使基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下得到更为准确的的固体内耗及液体黏度。
关键词
内耗
黏度
扭摆
强迫振动
Keywords
internal friction
viscosity
pendulum
forced vibration
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
外延晶体硅薄膜太阳电池的器件模拟及性能优化的研究
被引量:
6
2
作者
艾斌
张勇慧
邓幼俊
沈辉
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室广东省光伏技术重点实验室
出处
《中国科学:技术科学》
EI
CSCD
北大核心
2012年第11期1318-1329,共12页
基金
国家自然科学基金(批准号:50802118)
广东省科技计划(批准号:2011A032304001,2010B090400020)
中央高校基本研究经费青年教师培育项目(批准号:2011300003161469)资助
文摘
由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,我们采用了更符合实际情况的器件结构和参数设置.在此基础上,全面系统地研究了背表面场(back surface field,BSF)层、基区和发射区参数、晶体硅活性层电学质量、电池表面钝化情况、电池内部复合情况和pn结漏电情况等对外延晶体硅薄膜太阳电池光电性能的影响.在影响外延晶体硅薄膜太阳电池效率的众多因素中,辨认出对电池效率影响幅度最大的3个参数依次是基区少子扩散长度、二极管暗饱和电流和正表面复合速度.通过模拟还发现,基区不是越厚越好,基区厚度的选择必须要考虑基区少子扩散长度的值.当基区少子扩散长度较小时,基区的最佳厚度应小于或等于基区少子扩散长度;当基区少子扩散长度较大时,基区少子扩散长度应至少是最佳基区厚度的2倍.此外,本文不但对模拟结果的现象进行了描述,还深化解释了其变化的物理机制.由于外延晶体硅薄膜太阳电池在器件结构上与晶体硅太阳电池具有很大的相似性,所以本文的结论在某种程度上对晶体硅太阳电池特别是当下研究最热门的薄硅片太阳电池也是适用的.
关键词
太阳电池
晶体硅薄膜太阳电池
器件模拟
PC1D模拟
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于扭摆的力学谱仪在强迫振动模式下的延时误差分析
杨岳彬
左文龙
保延翔
刘树郁
李龙飞
熊小敏
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
2
外延晶体硅薄膜太阳电池的器件模拟及性能优化的研究
艾斌
张勇慧
邓幼俊
沈辉
《中国科学:技术科学》
EI
CSCD
北大核心
2012
6
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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