本文研究了 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的超快弛豫过程,首次比较详细地在 k 空间对空穴-空穴散射速率进行了尽可能多的解析计算,从而可以看到空穴-空穴散射率与有效质量、掺杂浓度、激发浓度以及激发能量的比较定量的关系,其结果表...本文研究了 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的超快弛豫过程,首次比较详细地在 k 空间对空穴-空穴散射速率进行了尽可能多的解析计算,从而可以看到空穴-空穴散射率与有效质量、掺杂浓度、激发浓度以及激发能量的比较定量的关系,其结果表明散射速率随掺杂浓度的增加而减小,随激发浓度的增加而增加。另外,我们在 k 空间也推导了空穴与极性以及与非极性光学声子散射的散射率公式。在实验上,我们测试了在费米能级附近 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的弛豫过程,并因此而估算出光学形变势常数 d0约为31eV。展开更多
文摘本文研究了 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的超快弛豫过程,首次比较详细地在 k 空间对空穴-空穴散射速率进行了尽可能多的解析计算,从而可以看到空穴-空穴散射率与有效质量、掺杂浓度、激发浓度以及激发能量的比较定量的关系,其结果表明散射速率随掺杂浓度的增加而减小,随激发浓度的增加而增加。另外,我们在 k 空间也推导了空穴与极性以及与非极性光学声子散射的散射率公式。在实验上,我们测试了在费米能级附近 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的弛豫过程,并因此而估算出光学形变势常数 d0约为31eV。
