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导纳型失磁保护校验方法探究 被引量:1
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作者 陈寿根 尹亮 +1 位作者 吴冰峰 罗裕柯 《华东电力》 北大核心 2014年第1期198-202,共5页
大多数失磁保护都是阻抗型保护,保护定值为2个阻抗圆,常规的继电保护测试仪都能方便地测出阻抗圆的轨迹。导纳型失磁保护与阻抗型失磁保护不同,其定值为3个导纳值和3个导纳角。由于导纳轨迹在导纳平面内伸向无穷远,继电保护测试仪无法... 大多数失磁保护都是阻抗型保护,保护定值为2个阻抗圆,常规的继电保护测试仪都能方便地测出阻抗圆的轨迹。导纳型失磁保护与阻抗型失磁保护不同,其定值为3个导纳值和3个导纳角。由于导纳轨迹在导纳平面内伸向无穷远,继电保护测试仪无法直接测出它的整个轨迹。手动测试导纳轨迹上的几个动作点的校验方法没有验证整个导纳轨迹。导纳转换阻抗法是通过数学方法将导纳轨迹转换为阻抗轨迹,然后通过测得的阻抗轨迹来间接验证整个导纳轨迹。尽管转换过程比较复杂,但2台机组的试验成功验证了理论推导出的阻抗轨迹与实际测得的阻抗轨迹完全一致。 展开更多
关键词 导纳型失磁保护 数学转换 阻抗圆校验
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