半导体刻蚀设备中真空系统的设计优化

针对半导体刻蚀设备中的真空系统部分进行探究,具体介绍在真空系统设计过程中泵/阀门的选取、慢抽过程的应用、防冷凝方案等,并对抽气性能优化进行了一些研究,以实现真空系统对半导体刻蚀设备提供最优化的压力控制。

半导体设备企业要有全球战略

半导体设备产业绝不应仅是供应厂商的问题，它不但是集成电路产业发展最重要的部分，也是国家产业战略升级最重要的产业之一。所以，我们希望政府、投资商和业界更加重视设备产业的发展。目前大家比较重视的是大规模的生产线投资，一投就是上百亿，但半导体设备开发躲在幕后面，很多人不了解这个产业的重要性。

半导体真空腔体静态密封和检漏的研究

针对半导体真空腔体静态密封中存在的泄漏及高温时密封圈受损等密封性问题,重新对密封圈的选择和密封槽的设计计算进行了完善,并对完善后的真空腔体的密封性进行了一系列的检漏测试及探讨,从而证明了改善方案的可行性。

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。

新型热电材料综述

热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历程和研究现状,包括碲化物、硫族层状化合物、氧化物、笼合物,Half-Heusler材料,方钴矿材料、Zintl相热电材料以及铜硫族类材料。另外,对热电材料的应用做了一些归纳总结,希望能扩展热电器件的应用,实现未来的规模产业化。

等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究

本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。

刻蚀机温度控制系统设计初探

刻蚀机的温度控制系统是一个集制冷、加热、检测、控制为一体的温度循环控制系统,其利用温控的循环液体控制工作平台的温度,是一个典型的循环温度控制系统。本文从原理、制冷控制系统和压力损失等方面对该控制系统的设计进行探讨,为相关系统的设计工作提供参考。

90/65纳米介质刻蚀机

中微半导体设备（上海）有限公司的90／65纳米介质刻蚀机荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。

新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究

本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。