半绝缘多晶硅薄膜的钝化与性能研究

通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以及SIPOS膜的含氧量对膜系结构、电阻率、折射率的性能影响,获得了最佳钝化条件,测试结果表明SIPOS薄膜晶体管击穿电压高、可靠性好、性能更稳定,可以满足现代生产的需要。

Si_3N_4薄膜的成分与结构研究

通过 PECVD方法 ,在 Si基体表面制备了 Si3N4 薄膜 ,给出了 XRD、TEM、AES、DPS的分析结果 ,表明 Si3N4 是非晶态结构 ,薄膜的主要成分是 Si3N4 ,SEM分析结果显示 Si3N4 薄膜与基体材料的结合强度高 。