液晶平板显示技术的分析

近年来,液晶平板显示技术在科技水平发展的影响下逐渐升级,并且这一技术在生活中的应用率较高,不同程度的提升了人们的生活质量,优化了人们的视觉体验。本文首先介绍了手机显示屏分类和参数,并对其进行材质分析,然后探究平板显示设计技术的优缺点,针对手机显示屏技术进行了前景展望。

平板显示行业TFT自动光学检测技术研究

平板显示行业逐渐朝FHD及更高分辨率方向发展,对检测要求越来越高,精度从10微米到1微米,检测速度与效率要求也在提高,检测项目从简单走向复杂、从单项走向多项综合。自动光学检测是平板显示行业TFT中一种重要检测技术,贯穿于整个TFT工序流程中。自动光学检测最大的优点是提高生产效率,标准统一,保证检测结果精确性和可重复性,及时发现产品不良,确保产品质量。本文首先介绍自动光学检测原理与构成,然后展望未来自动光学检测发展方向及开发重点。

平板显示产业阵列自动光学检测设备及功能优化

平板显示应用领域越来越宽,从电视延伸到广告、户外展示、手机、平板等领域,成为人类获取信息的重要来源,极大的改变了人类生活、生产方式和产业生态。无论是TFT-LCD还是OLED,阵列都是其最核心部分,对检测要求最高。为保证产品良率,面板检测贯穿于整个过程之中。阵列每一道工序后都用自动光学检测设备进行检测,及时发现产品不良,做好过程控制。本文介绍一种阵列自动光学检测设备及基于生产不良改善开发的新功能。

液晶显示器原理与驱动技术研究

随着科学技术的进步与发展,液晶显示器(LCD)的信息显示功能更好,能耗更高低,与其他显示器相比,其自身优势显而易见,尤其是在附近近年来,随着智能技术的不断发展,液晶显示器(LCD)已经得到应用在单片机控制的智能仪器中使用时,可以充分发挥其实用价值和优势,值得在该领域推广和使用。因此,本文重点介绍液晶显示器的驱动原理及应用分析。

薄膜晶体管液晶显示器的发展分析

随着科技的发展,薄膜晶体管液晶显示器广受大众的好评,但目前广泛运用的非晶硅薄膜晶体管却因迁移率低致使其阻碍了行业的发展。为解决此问题而引进的多晶硅、金属氧化物等材质,虽一定程度上解决了此问题,但仍有其运用的不足。为改善此状况,文章分析了薄膜晶体管液晶显示器及其发展的现状,以期为探求适应市场的新科技材料的应用与开发提供一定依据。

机载液晶显示器温度控制技术研究

液晶显示器在目前的很多设备上都具有了应用,在航空事业当中也是如此,受到航空环境特殊环境因素的影响,做好温度控制成为了液晶显示器应用当中的重点技术。在本文中,将对机载液晶显示器温度控制技术进行一定的研究。

边缘电场液晶显示的盒厚对穿透率和颜色的仿真研究

由于在透过率、视角、操作电压上的优秀性能,边缘电场液晶显示模式已被广泛应用于液晶显示器领域。本文基于模拟仿真软件LCD Master,以双畴的像素电极结构搭配正性液晶为例,研究了边缘电场液晶显示模式下的LCD的盒厚(Cell gap)对穿透率、色点的影响,以及黑态下的大视角色偏。结果表明:随着Cell gap的增加(3.0μm→3.4μm),透过率提升(6.47%)、白点黄移(0.013,0.018);此外,黑态下,以极角为-75°~75°观察,Cell gap较低时,色偏较为严重。故而,在实际产品中,可以结合像素电极结构、液晶参数,合理调整Cell gap值,实现最优的光学设计。

项目管理在液晶显示产品中的应用与实现研究

在社会经济的不断发展下,人们对液晶显示产品需求增长快速,实现了对各类显示产品的大量生产。目前,显示无处不在,除了手机、平板、电视之外,车载、医疗等各种应用也需要液晶显示产品。但在急速增长的液晶显示产品的过程中不可避免出现了项目管理效率低下无法支撑项目需求的问题。针对这个问题,在保证项目高效运转的基础上实现液晶显示产品的创新生产,抢占市场的制高点,成为项目管理人士需要思考和解决的问题。为此,文章结合项目管理内涵和液晶显示产品特点,在分析液晶显示产品项目管理必要性的基础上,具体分析项目管理在液晶显示产品管理中的应用。

电子产品液晶显示屏应用技术探讨

在现今电子产品设计当中,液晶显示屏已经成为了其中的重要组成部分,对于设备的使用交互具有十分重要的作用。在本文中,将对电子产品液晶显示屏应用技术进行一定的研究。

探讨窄边框液晶显示技术的现状与发展前景

当前,窄边框液晶显示屏由于可视面积大、美观以及简洁等特点,深受民众喜爱。对此,本文介绍了LCM组模结构与组装工艺,分析了窄边框液晶显示技术现状,同时对该技术发展前景进行了阐述,希望能够为相关人员提供参考,促进我显示屏行业发展。

激光修补应用于液晶显示屏上的探讨

液晶显示屏技术近年来获得了快速发展,并在多个行业领域当中得到了应用。为了能够使液晶显示屏获得更好应用,做好修补工作十分重要。在本文中,将就激光修补应用于液晶显示屏的方式进行一定的研究。

半导体制冷热端热管式散热器的试验研究

基于热管的传热特性和半导体的制冷特点,设计制造了半导体制冷片热端散热用的热管式散热器,并搭建试验装置进行了试验。试验分别对三种制冷功率的半导体制冷片在不同环境温度、不同风速的条件下进行,得出了半导体制冷片热端、冷端、和热管式散热器的温度随制冷功率、环境温度、风速的变化趋势。研究结果表明,改善半导体制冷片热端的散热条件,可使半导体制冷片的冷端温度大幅降低,从而使半导体的制冷性能大幅提升。

巨厚砾岩孤岛工作面微震特征研究

为有效防治巨厚砾岩孤岛工作面的冲击地压,运用微震监测技术,开展了针对千秋煤矿21141孤岛工作面的微震时空演化特征规律及周期来压与超前支承压力之间的相关性研究。结果表明,微震事件高发区域有3个：Ⅰ区为21141孤岛工作面前方50-300m范围内,Ⅱ区为21141孤岛工作面距采区胶带下山600-900m范围内,Ⅲ区为21采区下山煤柱区域,微震事件多发生在工作面前方的垮落带;顶板周期来压前,微震事件的频次、日累计能量有所增加,顶板来压期间,微震事件的频次、日累计能量都明显高于非来压期间的事件频次及能量;大部分冲击地压发生在超前支承压力峰值范围。

InGaZnO薄膜晶体管背板的栅极驱动电路静电释放失效研究

本文通过解析阵列基板栅极驱动(gate driver on array, GOA)电路中发生静电释放(electro-static discharge,ESD)的InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin-film transistor, IGZO TFT)器件发现:栅极Cu金属扩散进入了SiN_x/SiO_2栅极绝缘层;源漏极金属层成膜前就发生了ESD破坏;距离ESD破坏区域越近的IGZO TFT,电流开关比越小,直到源漏极与栅极完全短路.本文综合IGZO TFT器件工艺、GOA区与显示区金属密度比、栅极金属层与绝缘层厚度非均匀性分布等因素,采用ESD器件级分析与系统级分析相结合的方法,提出栅极Cu:SiN_x/SiO_2界面缺陷以及这三层薄膜的厚度非均匀分布是导致GOA电路中沟道宽长比大的IGZO TFT发生ESD失效的关键因素,并针对性地提出了改善方案.

InGaZnO薄膜晶体管背板的层间Cu互连静电保护研究

InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板低将近一个数量级电压,数据线和扫描线层间Mo/Cu互连抗击穿电压只有传统a-Si TFT背板层间Mo/Al/Mo互连的60%左右.层间Cu互连的ESD破坏成为影响IGZO TFT超高清面板正常显示的一个重要因素.本文建立了扫描线层Cu金属扩散进入SiNx/SiO2绝缘层和数据线层Cu金属在爬坡拐角处扩散进入SiO2绝缘层,诱发层间Cu互连ESD破坏的机理模型.提出了Cu互连周边ESD保护电路架构三种基本结构的选型条件,以及保证层间Cu互连抗ESD击穿能力的ESD保护电路设计方法.利用本文提出的方法,有效降低了IGZO TFT背板的层间Cu互连ESD破坏风险.

TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善

在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。

TFT-LCD屏的Flicker和DC残留的研究及改善

由于平面电场的非对称设计和挠曲电效应的存在,导致正负帧作用下透过率不同,目视有很明显的闪烁。本文在396 mm(15.6 in)FHD(1 920×1 080)竖双畴结构的基础上,通过LCD expert软件模拟平面电场显示模式正负帧作用下电压-穿透率(Voltage-Transmittance,V-T)曲线,同时,实测了像素电极(pixel-ITO)不同线宽线距产品的残留DC(Direct Current)值/Flrcker数值等,得出较好的实验条件,对今后的像素设计有一定的指导意义。

保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究

研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。

高分辨率UV^2A面板光学特性改善研究

通过一系列实验研究了高分辨率TFT液晶显示器的对比度和透过率特性。改善了UV^2A光配向技术在提高分辨率的同时像素透过率和对比度下降的情况。提高了面板光学性能的同时也降低了生产成本。

TFT制程曝光色差研究

在TFT制程中,曝光工艺直接影响到薄膜的最终图案质量。为了分析与解决曝光色差问题,需对面板的点灯现象与制备工艺进行调查与研究。首先,通过扫描电子显微镜分析、错位曝光试验、数据分析等方法进行不良原因调查。同时,借助开源软件GIMP和Fiji进行图像处理得到面板灰度数据,对色差程度进行定量评价。然后,通过调整曝光设备照度均一性与管控最优生产路径,曝光色差发生率从10%以上降至1%以内,有效改善面板显示品质。最后,结合ExpertLCD光学模拟数据与电容耦合效应分析,进一步阐述曝光色差的形成机理。研究发现,像素电极临界尺寸应管控在一定范围并且需保证较好的均一性,像素电极临界尺寸过小、过大都会使曝光色差更易显现。同时,各导电层的临界尺寸也需保证较好的均一性,以减小耦合电容对显示的影响。