军工电子装备外协外购元器件的零缺陷管理研究

针对当前电子行业迫切需要完善零缺陷管理体系这一现象,根据某单位的产品特点和管理状况,从文化、制度、管理和技术四个方面对军工电子装备外协外购元器件的零缺陷管理进行了系统研究,以实现从源头上实现零缺陷。

大功率半导体激光器阵列

综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一

总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式;最后就技改项目、研究装备、外壳所需的基础材料的研究开发和生产、高新技术产业化等问题提出了建议。

网络变换在滤波器设计中的应用

介绍了基于耦合原型参数的滤波器设计方法,并以双谐振子为例讲述了网络变换在滤波电路设计中的应用。最终通过引入有限感值变压器模型对整个电路进行了CAD仿真及优化设计,完成了电路制作并给出了结果。

数字信号FSK无线收发电路设计

介绍了一种采用TH7108单片发射器芯片和TH71112单片接收器芯片设计的数字信号FSK无线收发电路。该电路可以直接与常用的编码器/解码器、单片机、计算机等连接,实现相互之间的数据无线传输。该电路结构简单,工作可靠,可方便地嵌入仪器仪表和自动控制系统中,构成一个点对点、一点对多点的无线串行数据传输通道。

三维封装微系统TSV转接板技术研究

首先,对基于TSV技术的某微系统中的TSV转接板进行了研究,建立了普通TSV转接板的电磁模型并进行了仿真分析;其次,设计了改进的双金属屏蔽结构TSV转接板,通过仿真分析发现,双金属屏蔽结构TSV转接板的电学性能显著地提升;最后,以双金属屏蔽结构TSV转接板为基础,研究了TSV转接板传输性能的影响因素。结果表明,当f≤20 GHz时,金属屏蔽层的厚度对双金属屏蔽结构TSV转接板的传输性能影响较小,金属屏蔽层与硅衬底之间的绝缘层厚度对TSV转接板的传输性能影响较小;当10 GHz≤f≤20 GHz时,金属屏蔽层与RDL布线层之间的厚度与TSV转接板的传输损耗参数成反比。该研究对提高TSV结构的设计可靠性有参考作用。

三维封装微系统中TSV技术研究

对基于TSV技术的某微系统中的核心结构TSV转接板进行了研究,建立1层TSV转接板的电磁模型并进行仿真分析。其次在1层TSV转接板的基础上进行改进,分别建立2层TSV转接板和3层TSV转接板,通过仿真分析可知,3层TSV转接板的电学特性相比1层TSV转接板电学特性有明显提升。最后使用探针台对3层TSV转接板进行电学特性测试,通过对比发现,3层转接板的电学特性测试结果与仿真结果相吻合。

回流焊工艺参数对温度曲线的影响

回流焊炉的工艺参数对于回流温度曲线及其关键指标具有显著的影响,本文采用正交实验法,对回流焊炉的工艺参数对回流温度曲线及其关键指标的影响进行了全面的研究,掌握了对回流温度曲线各个关键指标影响最大的工艺参数及其影响方向。

AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声测试方法研究

AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相关。该文设计了AlGaN/GaN HEMT器件低频噪声测试的偏置电路、建立了一套低频噪声测试系统,对不同测试端口和偏置条件下的低频噪声水平进行了测试,通过对比分析得到了低频噪声测试结果与电压、电流之间的关系,并对测试结果进行了误差分析,对AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性评价有重要意义。

固态微波功率器件应用验证技术研究

电子元器件应用验证是一种新的工程应用质量保证体系。它以元器件的工程应用为目的,通过多级验证的方式,来评估元器件的可靠性、成熟度以及工程可用度。该文结合我中心已进行的应用验证工作经验,给出了器件级应用验证的三个组成部分及每个部分包含的评价要素。对某款Ga N功率器件进行了器件级应用验证,给出了具体评价要素及验证项目,列出了需补充进行的电参数测试项目,描述了主要试验项目的试验方法,最后给出了器件验证结论。