高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

用Raman光谱测量了高剂量B^+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论.

离子注入碲镉汞迁移率谱的研究

文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。变温测试表明 :表面低迁移率成分基本不随温度变化 ,体内高迁移率成分随温度变化明显。迁移率谱是离子注入样品的有效的非破坏分析方法之一。

瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理

5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。

提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构

首先介绍了稳定FEA电子发射均匀性和可靠性的几种结构 ,然后提出了以离子注入和干法刻蚀技术 ,在常规电阻率P型衬底上制成具有串联电阻负反馈特性的单片硅FEA。这些设计和工艺可供研究人员在设计具体FEA电子源的不同应用领域 ,如平版显示器、微波真空器件。

低能原子簇轰击金薄膜的分子动力学模拟

本文基于分子动力学模拟研究铝原子簇和碳原子簇轰击金薄膜的碰撞级联过程。注入原子簇的初始能量为(0.1～0.2)keV/atom。文中计算了薄膜中金原子的反冲能谱随时间的变化。结果表明,原子簇轰击后,金原子的反冲能量可高于两倍的两体碰撞最大反冲动能。该效应可用原子簇中原子与靶原子的多次碰撞及运动原子间的碰撞解释。