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As在HgCdTe外延层中的扩散系数 被引量：5
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作者 徐非凡 吴俊 +3 位作者 巫艳 陈路 于梅芳 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期7-10,共4页
使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子束外延样品中的扩散系数.获得了在240℃,380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用.研究表明在低... 使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子束外延样品中的扩散系数.获得了在240℃,380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用.研究表明在低温段的240℃/24～48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃/16小时和440℃/30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓.综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃/30分钟的退火条件较理想. 展开更多
关键词 外延层 碲镉汞材料 退火过程 二次离子质谱分析 SIMS 分压 扩散 辅助 PN 突变
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