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退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响
被引量:
1
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作者
庄春泉
汤英文
龚海梅
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期894-896,共3页
文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。
关键词
光致发光
X射线光电子能谱
硫化
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职称材料
题名
退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响
被引量:
1
1
作者
庄春泉
汤英文
龚海梅
机构
中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期894-896,共3页
文摘
文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。
关键词
光致发光
X射线光电子能谱
硫化
Keywords
photoluminescence
X-ray photoelectron spectroscopy
sulfidation
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响
庄春泉
汤英文
龚海梅
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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