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传输、获取与显示用光电子技术
被引量:
1
1
作者
王启明
《电子产品世界》
1998年第12期20-22,共3页
超大容量传输领域由于技术上和造价上的原因,电磁波(或电子)作载体来传输信息流已走到极限,即使采用代价很高的同轴电缆,其传输带宽也只能做到500MHz,难以满足未来 T(10<sup>12</sup>)b/s 超大容量传输的需求。光波的本...
超大容量传输领域由于技术上和造价上的原因,电磁波(或电子)作载体来传输信息流已走到极限,即使采用代价很高的同轴电缆,其传输带宽也只能做到500MHz,难以满足未来 T(10<sup>12</sup>)b/s 超大容量传输的需求。光波的本征带宽高达200T(10<sup>12</sup>)Hz,低损耗石英光纤1.55μm
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关键词
光电子技术
光孤子技术
复用传输技术
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职称材料
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景
被引量:
1
2
作者
雷红兵
欧海燕
+3 位作者
王红杰
胡雄伟
杨沁清
王启明
《光电子技术与信息》
CAS
2000年第3期22-26,32,共6页
简述了阵列被导光栅复用/解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述.
关键词
阵列波导光栅
波分复用
平面光波导
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职称材料
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
3
作者
毛容伟
李成
+7 位作者
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到...
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到限制。由于(heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管)HPT具有内部增益,SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征,并且制作了原型器件,器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W,光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT,并进行光电响应模拟,模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%,增加吸收区材料Ge组分到0.5,量子效率可提高到30%,半高度为1.5nm,适应光通讯的要求。
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关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT探测器
长波长探测器
锗化硅
半导体光电探测器
光通信
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职称材料
题名
传输、获取与显示用光电子技术
被引量:
1
1
作者
王启明
机构
中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室
出处
《电子产品世界》
1998年第12期20-22,共3页
文摘
超大容量传输领域由于技术上和造价上的原因,电磁波(或电子)作载体来传输信息流已走到极限,即使采用代价很高的同轴电缆,其传输带宽也只能做到500MHz,难以满足未来 T(10<sup>12</sup>)b/s 超大容量传输的需求。光波的本征带宽高达200T(10<sup>12</sup>)Hz,低损耗石英光纤1.55μm
关键词
光电子技术
光孤子技术
复用传输技术
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
TN919.64 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景
被引量:
1
2
作者
雷红兵
欧海燕
王红杰
胡雄伟
杨沁清
王启明
机构
中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光电子技术与信息》
CAS
2000年第3期22-26,32,共6页
基金
国家自然科学重大基金!69896260
重点基金!69889701
文摘
简述了阵列被导光栅复用/解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述.
关键词
阵列波导光栅
波分复用
平面光波导
Keywords
arrayed waveguide grating, WDM, planar light waveguide
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
3
作者
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
机构
中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
文摘
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到限制。由于(heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管)HPT具有内部增益,SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征,并且制作了原型器件,器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W,光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT,并进行光电响应模拟,模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%,增加吸收区材料Ge组分到0.5,量子效率可提高到30%,半高度为1.5nm,适应光通讯的要求。
关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT探测器
长波长探测器
锗化硅
半导体光电探测器
光通信
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
传输、获取与显示用光电子技术
王启明
《电子产品世界》
1998
1
下载PDF
职称材料
2
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景
雷红兵
欧海燕
王红杰
胡雄伟
杨沁清
王启明
《光电子技术与信息》
CAS
2000
1
下载PDF
职称材料
3
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
已选择
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