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InGaAsSb四元固溶体的团簇效应 被引量:1
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作者 童玉珍 杨锡震 +1 位作者 王占国 周伯骏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期660-663,共4页
在Onabe工作的基础上,使用对相互作用模型对于In1-xGaxAs1-ySby四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值(x,y)进行了计算.结果表明团簇效应在该系统中严重存在.计算了对分布几率随组分... 在Onabe工作的基础上,使用对相互作用模型对于In1-xGaxAs1-ySby四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值(x,y)进行了计算.结果表明团簇效应在该系统中严重存在.计算了对分布几率随组分值和温度的变化.对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论. 展开更多
关键词 半导体材料 INGAASSB 固溶体 团簇效应
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EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度
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作者 李永良 杨锡震 +2 位作者 周燕 李承基 李蕴言 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期581-582,共2页
关键词 EBIC 半导体 磷化铟 LPE样片 分子扩散长度
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