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磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
1
作者
丁武昌
郑军
+6 位作者
左玉华
成步文
余金中
王启明
郭亨群
吕蓬
申继伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期298-300,共3页
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离...
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。
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关键词
复合半导体材料
氮化硅
光效发光
铒
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职称材料
题名
磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
1
作者
丁武昌
郑军
左玉华
成步文
余金中
王启明
郭亨群
吕蓬
申继伟
机构
中科院半导体研究所光电集成实验室
华侨大学信息科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期298-300,共3页
基金
国家自然科学基金(60336010)
国家"973"重点基础研究(2007CB13404)
文摘
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。
关键词
复合半导体材料
氮化硅
光效发光
铒
Keywords
compound semiconductor material
Si3N4
photoluminescence
Er
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
丁武昌
郑军
左玉华
成步文
余金中
王启明
郭亨群
吕蓬
申继伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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