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磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
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作者 丁武昌 郑军 +6 位作者 左玉华 成步文 余金中 王启明 郭亨群 吕蓬 申继伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期298-300,共3页
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离... 采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。 展开更多
关键词 复合半导体材料 氮化硅 光效发光
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