AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs异质结果界结构的电镜研究

原子层掺杂(Atomic Layer Doping)可以在二极管结构中产生一种内部势垒,从而控制半导体的某些电学性能。本工作就是在GaAs衬底上MBE生长AlAs和Si。在测试过程中,我们采用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)和高分辨像(HREM)研究AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs的界面结构及失配能力。

创新发展 特色办学——江西省赣州市南康区第三中学

江西省赣州市南康区第三中学成立于2006年8月，学校位于南康区泰康西路53号，学校占地面积105亩，是江西省“科技创新教育”特色发展试验学校，现有教职工262人，初、高中教学班83个，在册学生5600多人。南康三中自创办以来，就牢固树立了“以创新引领发展，用实力铸就品牌”的办学方略，确立以“强化素质，弘扬个性，一切以学生的发展为本”为教育理念，学校按照“重内涵、创特色、争优势”的总体要求，遵照“强学科、出精品、做文化”的发展策略，以“科技创新教育”特色建设为载体，以“做强初中教育，做优高中教育”为目标，正在形成独特的特色高中办学模式。