自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。

辉光放电电子束瞬态退火研究

辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。

电子束缩小投影曝光系统的掩模研究

介绍了用于电子束投影曝光系统中薄膜加散射体掩模的制备。

光敏聚酰亚胺X射线光刻

光敏聚酰亚胺Ｘ射线光刻韩阶平，赵豪，胡一贯，阚娅（中科院微电子中心，合肥国家同步辐射实验室）光敏聚酰亚胺自问世以来就得到了人们的广泛重视，目前对光敏聚酷亚胺的光刻还大多只限于紫外光曝光的方式，还未见到有关光敏聚酰亚胺Ｘ射线光刻的报道。在本文中我们对合...

SoC片上总线综述

随着以IP核复用为基础的SoC设计技术的发展,工业界及研究组织积极从事相关IP互联标准方案的制定工作,从目前的研究和发展看,影响力较大的有IBM公司的CoreConnect、ARM公司的AMBA和SilicoreCorp公司的Wishbone。基于现有IP互联接口标准技术的发展现状,本文对这三种SoC总线技术进行了详细介绍。

适用于剥离工艺的光刻胶图形的制作技术及其机理讨论

研究了AZ－1350胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术，并对一些机理性问题进行了讨论。

Ta/NiFe和NiFe/Ta界面反应和“死层”现象的研究

Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta被广泛应用于磁电阻多层膜结构中。我们发现 ,在Ta/Ni81Fe19/Ta薄膜结构中 ,磁性“死层”的厚度大约为 1 6± 0 2nm。用X射线光电子能谱和图谱拟合技术研究Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta的界面成分和化学状态发现 ,在两上界面处都发生了反应 :2Ta +Ni=NiTa2 ,因此NiFe的有效厚度减少。利用这个反应也可以合理解释用分子束外延制备的自旋阀多层膜比用磁控溅射制备的自旋阀多层膜的“死层”

一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计

本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性.

HBT结构的新进展

介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和 以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

单片密码数据处理器系统级体系结构的研究

提出了一种单片密码数据处理器系统结构的设计 ,这些系统结构涉及到微处理器的体系结构、数据接口、用户身份识别接口、密码算法的专用部件、密码算法 RSA和 CHES的实现 IP模块 [1,2 ]以及伪随机数发生器 ,这些模块是单片密码数据处理器系统所必须有的 ,单片密码数据处理器的体系结构不同于其它系统 ,在结构上具有一定的保密作用 ,同时具有密码专用部件和密码专用指令用于加速密码数据处理的速度 ,因此具有许多密码特色 ,是信息安全设备设计中有效的 So C芯片实现的系统设计。

多介质工艺X射线光刻制作T形栅

半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可控 。

复杂微光刻图形版图设计系统

介绍了一种自主开发的复杂微光刻图形版图绘制系统。该系统能根据用户的要求自动成组地批处理各种圆环、螺旋线、椭圆环、扇形、条形码等图形 ,以及根据用户输入的任意表达式来生成特殊形状图形 ,同时它具有方便的图形形态处理功能 ,包括图形任意角度的旋转、旋转拷贝功能 ;重叠图形和回字图形挖空并加辅助线功能 ;位图格式图形轮廓化处理功能及图形切割、切块功能等。该系统极大地提高了目前集成电路版图设计工具软件绘图功能 ,使其更能适用于微电子、微光学、微机电系统等微光刻领域的复杂图形设计 ,是一种实用性很强的软件模块。

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。

基于薄膜结构的MEMS技术研究

报导了基于低应力自支撑SiNx薄膜结构的MEMS部分研究结果,包括从薄膜生长工艺、内应力和薄膜微观结构控制、薄膜的物性分析、镂空自支撑薄膜结构的工艺制作、自支撑薄膜结构动力学的有限元模拟、到最后镂空自支撑薄膜结构在MEMS系统中的应用所做的部分研究工作。

纳米硅薄膜的发光特性研究

研究了 nc- Si:H薄膜的光致发光 ( PL) ,分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品 ,晶粒尺寸有一上限 ,其值在 4～ 5nm之间。在 10～ 77K,nc- Si:H薄膜的发光强度几乎没有变化 ;当温度高于 77K,发光强度指数式下降。随温度升高 ,发光峰位有少许红移。讨论了nc- Si:H光致发光机理 ,用量子限制 -发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程 ,认为载流子在晶粒内部激发后 ,弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术（光学光刻，电子束光刻。

32×8乘法器完成32×32乘加器的算法及实现

本文研究了用32×8乘法器完成32×32乘法累加器的算法实现。将32×8乘法器计算出的结果作为下一次32×8乘法计算的部分积来完成4次32×8乘法结果的累加操作,减小了硬件开销。同时为满足累加操作的需要,对Booth算法的补偿常数的数值也做了修正。