自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。

辉光放电电子束瞬态退火研究

辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。

Tl-Ba-Ca-Cu-K-Al-O体系的超导电性

具有Tco>110K的含铊七元素氧化物超导体TlBaCaCuKAlO已由两步固态反应法合成，起始金属离子比组分该体系的超导电性的影响已经研究，实验结果表明，该体系正离子比的铊含量低至0.8时，并没有严重减小Tco值，但是，铊含量低至0.2时超导电性消失，掺入钾和铝两种元素，采用简单的合成工艺，就可获得高Tc超导电性，对于起始名义组分为Tl0.3BaCaCu2K0.5Al0.2Ox的超导体，Tco可达到114K，并具有两个阴显的超导相；2212相和1112相，均属四方晶系，分别具有晶胞参数为σ=5.541A,c=29.081A和α=5.586A,c=19.665A。

TiSi_2/n^+poly-Si复合结构热处理对磷再分布及RIE的影响

本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和微图形成形应在退火前完成的建议.研制成的沟道长度为 0.6 μm的 TiSi_2polycide结构 LDD NMOSFET’S性能优良.

边缘增锐型相移光刻技术的研究及其数值模拟

相移光刻技术可以提高光刻设备的分辨率，为制作二元光学器件及超大规模集成电路提供了更强的技术力量，本文简单介绍相移光刻技术的基本原理，用自编的软件通过数值模拟对边缘增锐相移光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线投影曝光机的边缘增锐型相移掩模的设计参数。