期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
SRAM单元结构设计的新进展
1
作者
黄德均
《广东电子》
1996年第9期46-47,共2页
关键词
随机存储器
SRAM
单元结构
设计
全文增补中
光刻技术曝光的隋性新方法
2
作者
黄德均
《广东电子》
1996年第1期45-45,共1页
关键词
光刻
惰性原子
曝光
半导体器件
全文增补中
题名
SRAM单元结构设计的新进展
1
作者
黄德均
机构
中科院微电子情报室
出处
《广东电子》
1996年第9期46-47,共2页
关键词
随机存储器
SRAM
单元结构
设计
分类号
TP333.802 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
全文增补中
题名
光刻技术曝光的隋性新方法
2
作者
黄德均
机构
中科院
微电子
中心
情报
室
出处
《广东电子》
1996年第1期45-45,共1页
关键词
光刻
惰性原子
曝光
半导体器件
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SRAM单元结构设计的新进展
黄德均
《广东电子》
1996
0
全文增补中
2
光刻技术曝光的隋性新方法
黄德均
《广东电子》
1996
0
全文增补中
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
