MPCVD 合成 β-C_3N_4 晶态薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２、ＣＨ４作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件，在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜（ＳＥＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）下观察到在Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。ＥＤＸ分析表明，随沉积条件的不同，Ｓｉ基底上的氮碳薄膜中Ｎ／Ｃ在１．０到２．０之间；Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜Ｎ／Ｃ在０．８～１．３之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４。