外磁场对Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金相变应变及显微组织的影响

研究了外磁场对Ni52Mn24.6Ga23.4(%,原子分数)单晶马氏体相变及其相变应变的影响,并对磁场增强相变应变的微观机制进行了探讨。研究结果表明无外加磁场时,NiMnGa合金发生马氏体相变时可产生约0.3%的收缩形变,沿单晶[100]方向施加外磁场,其相变应变随磁场的增加而呈近线性增加。当外磁场强度为6.37×105A/m时,应变量达到最大值(3.5%)。磁场作用下冷却形成的马氏体虽然孪晶亚结构不变,但自协作组态消失,并伴随有孪晶板条的增厚。磁场对马氏体相变应变的增强效应来自于磁场作用下的马氏体变体的择优取向。

磁滞损失角度特性——CoCr合金薄膜反磁化过程分析

本文用VSM测量不同最大外场下垂直磁化CoCr薄膜磁滞回线的角度关系,用宏观法分析CoCr薄膜的反磁化机理,发现CoCr膜的反磁化机理依赖于最大外场的大小和方向。高H_(c⊥)上的CoCr膜,无论外场如何变化,转动机理起支配作用。低H_(c⊥)的CoCr膜,低场范围畴壁位移发生于转动之前,高场范围转动反磁化起主要作用,磁滞损失的特性能反应和判断垂直磁化CoCr膜的反磁化机理。