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氮在砷化镓中行为的研究
被引量:
1
1
作者
何杰
卢励吾
+2 位作者
金高龙
许振嘉
张利春
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第5期291-296,共6页
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特...
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性,但预溅射氮后出现此现象,因此,人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因,对两种砷化镓样品:半绝缘和n型GaAs(100)样片,分别注入N+或N++Si+,以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后,对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果,发现N在GaAs中引入一深能级,位置在Ec=-0.38eV左右,并在退火后可使ELZ能级密度大大增加,但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因,又若确实存在p+层,则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。
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关键词
氮
砷化镓
离子注入
深能级
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职称材料
TiN/n-GaAs体系界面的研究
2
作者
何杰
金高龙
+2 位作者
卢励吾
许振嘉
张利春
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第6期368-373,共6页
利用二次离子质谱(SIMS)和深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动,N则基本未变;DLTS观察到在Ec=0.21eV处的Ti3+(3d1)/Ti2+(3d2)单受主中心,但其浓度较EL2要小...
利用二次离子质谱(SIMS)和深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动,N则基本未变;DLTS观察到在Ec=0.21eV处的Ti3+(3d1)/Ti2+(3d2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GaAs体系电学特性改善的原因。
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关键词
氮化钛
砷化镓
界面
深能级
集成电路
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职称材料
四极二次离子质谱仪器参数对定量分析影响的研究——GaAs定量分析基础研究之一
3
作者
程宝洪
查良镇
+1 位作者
张立宝
陈春华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1991年第2期121-127,共7页
本文针对GaAs材料定量分析的要求,对法国RIBER公司四极SIMS仪器的工作参数进行了调整,研究了二次离子分析系统、电子倍增器的参数和靶电位对仪器性能的影响。同时研究了氧源注氧对二次离子产额及信噪比的影响。这些研究为GaAs材料定量...
本文针对GaAs材料定量分析的要求,对法国RIBER公司四极SIMS仪器的工作参数进行了调整,研究了二次离子分析系统、电子倍增器的参数和靶电位对仪器性能的影响。同时研究了氧源注氧对二次离子产额及信噪比的影响。这些研究为GaAs材料定量分析打下了基础。
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关键词
质谱仪器
四极
电子倍增器
离子分析
基础研究
仪器性能
产额
SIMS
信噪比
氧源
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职称材料
题名
氮在砷化镓中行为的研究
被引量:
1
1
作者
何杰
卢励吾
金高龙
许振嘉
张利春
机构
清华大学微电子研究所
中科院
超晶格
实验室
中科院表面物理实验室
北京大学微电子学研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第5期291-296,共6页
文摘
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性,但预溅射氮后出现此现象,因此,人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因,对两种砷化镓样品:半绝缘和n型GaAs(100)样片,分别注入N+或N++Si+,以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后,对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果,发现N在GaAs中引入一深能级,位置在Ec=-0.38eV左右,并在退火后可使ELZ能级密度大大增加,但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因,又若确实存在p+层,则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。
关键词
氮
砷化镓
离子注入
深能级
Keywords
Nitrogen,GaAs,Ion implantation,Deep energy level
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
TiN/n-GaAs体系界面的研究
2
作者
何杰
金高龙
卢励吾
许振嘉
张利春
机构
清华大学微电子研究所
中科院表面物理实验室
中科院
超晶格
实验室
北京大学微电子学研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第6期368-373,共6页
文摘
利用二次离子质谱(SIMS)和深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动,N则基本未变;DLTS观察到在Ec=0.21eV处的Ti3+(3d1)/Ti2+(3d2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GaAs体系电学特性改善的原因。
关键词
氮化钛
砷化镓
界面
深能级
集成电路
Keywords
TiN, GaAs, Interface, Deep energy level
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
四极二次离子质谱仪器参数对定量分析影响的研究——GaAs定量分析基础研究之一
3
作者
程宝洪
查良镇
张立宝
陈春华
机构
清华大学电子工程系
中科院表面物理实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1991年第2期121-127,共7页
文摘
本文针对GaAs材料定量分析的要求,对法国RIBER公司四极SIMS仪器的工作参数进行了调整,研究了二次离子分析系统、电子倍增器的参数和靶电位对仪器性能的影响。同时研究了氧源注氧对二次离子产额及信噪比的影响。这些研究为GaAs材料定量分析打下了基础。
关键词
质谱仪器
四极
电子倍增器
离子分析
基础研究
仪器性能
产额
SIMS
信噪比
氧源
分类号
TB7-55 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮在砷化镓中行为的研究
何杰
卢励吾
金高龙
许振嘉
张利春
《真空科学与技术》
CSCD
1995
1
下载PDF
职称材料
2
TiN/n-GaAs体系界面的研究
何杰
金高龙
卢励吾
许振嘉
张利春
《真空科学与技术》
CSCD
1995
0
下载PDF
职称材料
3
四极二次离子质谱仪器参数对定量分析影响的研究——GaAs定量分析基础研究之一
程宝洪
查良镇
张立宝
陈春华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1991
0
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职称材料
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