期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
氮在砷化镓中行为的研究 被引量:1
1
作者 何杰 卢励吾 +2 位作者 金高龙 许振嘉 张利春 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第5期291-296,共6页
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特... 在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性,但预溅射氮后出现此现象,因此,人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因,对两种砷化镓样品:半绝缘和n型GaAs(100)样片,分别注入N+或N++Si+,以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后,对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果,发现N在GaAs中引入一深能级,位置在Ec=-0.38eV左右,并在退火后可使ELZ能级密度大大增加,但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因,又若确实存在p+层,则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。 展开更多
关键词 砷化镓 离子注入 深能级
下载PDF
TiN/n-GaAs体系界面的研究
2
作者 何杰 金高龙 +2 位作者 卢励吾 许振嘉 张利春 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第6期368-373,共6页
利用二次离子质谱(SIMS)和深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动,N则基本未变;DLTS观察到在Ec=0.21eV处的Ti3+(3d1)/Ti2+(3d2)单受主中心,但其浓度较EL2要小... 利用二次离子质谱(SIMS)和深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动,N则基本未变;DLTS观察到在Ec=0.21eV处的Ti3+(3d1)/Ti2+(3d2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GaAs体系电学特性改善的原因。 展开更多
关键词 氮化钛 砷化镓 界面 深能级 集成电路
下载PDF
四极二次离子质谱仪器参数对定量分析影响的研究——GaAs定量分析基础研究之一
3
作者 程宝洪 查良镇 +1 位作者 张立宝 陈春华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期121-127,共7页
本文针对GaAs材料定量分析的要求,对法国RIBER公司四极SIMS仪器的工作参数进行了调整,研究了二次离子分析系统、电子倍增器的参数和靶电位对仪器性能的影响。同时研究了氧源注氧对二次离子产额及信噪比的影响。这些研究为GaAs材料定量... 本文针对GaAs材料定量分析的要求,对法国RIBER公司四极SIMS仪器的工作参数进行了调整,研究了二次离子分析系统、电子倍增器的参数和靶电位对仪器性能的影响。同时研究了氧源注氧对二次离子产额及信噪比的影响。这些研究为GaAs材料定量分析打下了基础。 展开更多
关键词 质谱仪器 四极 电子倍增器 离子分析 基础研究 仪器性能 产额 SIMS 信噪比 氧源
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部