XRD灵敏度在同步辐射源上的绝对刻度

在ＢＥＰＣ同步辐射的３Ｂ１束线上，利用多层镜分光，获得了单色性较好，强度较高的软Ｘ光光源。采用美国进口的ＡＸＵＶ—１００Ｓｉ光二极管作为二级标准，对ＸＲＤ探测器和滤片进行绝对刻度，获得了各种阴极ＸＲＤ的灵敏度，其结果与ＬＬＮＬ的实验结果吻合，并对实验结果作了分析。

Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究

利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０６Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｒ气压强０４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同溅射条件下不同溅射时间（３５ｓ到２２０ｓ）对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增加，薄膜的晶粒线度随之增大，晶粒间界变得明显粗糙度变大。几乎所有的样品都观察到晶粒生长有明显的优先取向。

Triton X-100对细菌视紫红质中间产物M_(412)的效应

本文研究用非离子表面活性剂Triton X-100处理后的细菌视紫红质（BR Bacteriorhodo-psin）光循环中间产物M412动力学过程的变化.实验结果表明,用不同浓度的Triton处理pH=6.5的BR体系时,其中间产物M412.快衰减成分的半衰期(τ1/2f)在Triton浓度为0.05%（w/w）附近突然变慢,随着Triton浓度的加大,τ1/2f又逐渐加快;慢衰减部分的半衰期(τ1/2s)则随Tri-ton浓度的增加逐渐变慢.BR的生色团峰发生蓝移.说明不同浓度的Triton在水溶液中聚集状态不同,可不同程度地破坏膜脂的液晶态结构,从而导致镶嵌在其中的BR发生构象的变化,使转运质子的氢键通道受到不同程度的影响,故质子泵转运通道发生改变、致使M412的衰减速率改变.

C2H2、C2H4与K在Ru（1010）表面上共吸附的UPS研究

利用角分辨紫外光电子谱对乙烯和乙炔气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附的研究结果表明：当衬底温度超过200K，乙烯即发生脱氢反应，σCH和σCC能级均向高结合能方向移动。在室温下，σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010）表面的吸附时的分子能级完全一致。乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K到室温，Ru(1010）表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化。室温下乙炔仍然可以在Ru(1010）表面以分子状态稳定吸附。在有K的Ru(1010）表面上，室温时σCC谱峰几乎。碱金属K的存在促进了乙炔的分解。

Si（001）衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变

利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。