碳化硅压力传感器结构仿真及优化

SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。