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题名BF_2^+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究
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作者
彭坤
林大成
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机构
昆明理工大学机电学院
中芯国际集成电路制造有限公司(天津)
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出处
《微细加工技术》
2008年第1期6-10,共5页
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基金
全球第三大集成电路芯片制造商"中芯国际集成电路制造有限公司"企业赞助
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文摘
同一台离子注入机B,P离子交叉注入,残留的磷和BF3分解产生的F生成50PF+,成为难控隐患。研究指出,实际注入晶圆的平均质量数,呈以目标离子质量数为中心的正态分布;49BF2+与50PF+因质量数接近而存在可能的重叠分布区,这是出现磷污染的原因;指出改善质量分析器的控制精度,可在线调控以避免磷污染。通过比较发现,当质量分析器设定为49±0.5且注入高束流达800μA时,离子注入机不能侦测到临近目标质量数的杂质离子。离子注入机经80 h注入31P+后再交叉注入的老化实验准备,当引弧电流达3 100μA时,电性测试发现,质量分析器设定为49±0.3(质量分辨率m/Δm=169.3)的样品无磷污染。进一步研究了多重老化因素叠加效应,经同样的老化实验准备、引弧电流为3 100μA且注入束流为800μA时,注入剂量为2.2×1015的49BF2+,当质量分析器严控为49±0.3,经SI MS(secondaryion mass spectroscopy)分析二个样品均未发现磷的高能峰。改进质量分析器控制设定数值的解决方案经生产验证有效,无需Frederic Sahores(2002 IEEE)的如增加清洗频率或分离子源专用注入机等高成本方案,提高了效益与产品良率。
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关键词
离子注入
磷杂质污染
有效控制
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Keywords
ion implants
phosphorus contamination
effective control
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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