多层陶瓷电容器的失效分析

采用外观观察和金相分析方法,对绝缘电阻偏低的多层陶瓷电容器(MLCC,简称为C1)、以及无容值且端电极短路的MLCC(简称为C2),进行了失效原因分析,研究了这两种MLCC的失效机理。结果表明:C1的失效是因电路板过度弯曲使电容器受到过大的机械应力,以致C1内部产生裂纹;C2的失效是因额定电压为500 V,耐压不足而致电压击穿,产生瞬间高压裂纹。生产过程中避免电路板弯曲及选用匹配的电容器,可有效降低MLCC的失效率。

散热片铆接引脚的腐蚀变色失效原因

某产品中引脚经高温高湿试验,出现不同程度变色和腐蚀破损现象。采用宏观、微观形貌观察及能谱分析,镀层截面切片分析,对引脚表面镀层腐蚀失效原因进行分析。结果表明:镀层表面变色物质以铁的氧化物为主。镀层存在孔隙、裂纹等通道,使环境中氧气、水与基材接触,致使镀层出现鼓起和破裂等现象。镀层中夹杂的非金属元素碳与金属元素铁形成原电池,加速Fe的腐蚀。此外,镀层厚度存在差异,防护能力不一,因而产品呈现不同程度腐蚀。为防止此类失效再次发生,提出了镀层的改善工艺。

PWB漏焊分析与解决

面对成因复杂的焊接不良，在有限的分析工具条件下，往住弄得人不知所措。本文通过五个由于PwB可焊性导致漏焊的失效案例，运用外观检查、金相切片、红外显微镜分析、扫描电镜分析和能谱分析的分析手法，层层分析，抽丝剥茧，最终找到失效的原因，从而为改善指明了方向。

元器件可焊性引起的焊接不良分析

焊接不良是所有电子组装公司所无法避免的问题，有各式各样的失效模式，比如虚焊、不润湿、退润湿、桥连、锡珠、裂纹等。本文就虚焊的失效模式进行了讨论，运用外观检查、金相切片、红外显微镜分析、扫描电镜分析和能谱分析的分析手法，通过两个相同失效模式但不同失效机理的案例，从元器件本身镀层质量和表面污染对其可焊性的影响进行分析，最终找到失效的真因，以利彻底改善，以资同业者们借鉴。

PWBA焊点锡洞的成因与改善

【摘要】焊点锡洞是PWBA组装过程中的主要缺陷之一，大面积锡洞的存在会严重影响产品的使用性能及可靠性。本文以三个比较典型的实际案例为分析对象，采用金相切片分析技术，分析了锡洞的形成原因和形成机理。分析结果表明：PWBPTH（PlatedThroughHole）破孔是导致焊点锡洞形成的直接原因，而破孔则03因于PWB钻孔质量差、化学铜不良以及抗蚀刻金属阻剂保护不良。同时，本文亦提出了相应的改善对策，如改善钻孔质量、优化化学铜工艺等，可有效降低后续生产中锡洞的产生机率，提高产品的使用寿命。