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直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究
被引量:
6
1
作者
张珊珊
杨会生
+4 位作者
颜鲁春
庞晓露
高克玮
李磊
李中正
《真空电子技术》
2016年第5期1-6,共6页
本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al_2O_3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化。通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD...
本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al_2O_3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化。通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆铜陶瓷板截面形貌及在高温退火后的界面行为。结果表明,与无过渡层和AlO_x过渡层相比Cr、Ti可大幅度提高界面粘附强度,在550℃退火后Cr和Ti在界面处和铜层发生合金化作用,甚至生成金属间化合物,Cr和Ti元素与Al_2O_3和AlN基体以及铜层具有强的相互作用,过渡层的引入可大幅度提高覆铜层和陶瓷的结合强度,从而有效提高陶瓷覆铜板的使用可靠性。
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关键词
直接镀铜
陶瓷基板
陶瓷金属化
下载PDF
职称材料
题名
直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究
被引量:
6
1
作者
张珊珊
杨会生
颜鲁春
庞晓露
高克玮
李磊
李中正
机构
北京科技大学
临淄市临淄银河高技术开发有限公司
出处
《真空电子技术》
2016年第5期1-6,共6页
文摘
本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al_2O_3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化。通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆铜陶瓷板截面形貌及在高温退火后的界面行为。结果表明,与无过渡层和AlO_x过渡层相比Cr、Ti可大幅度提高界面粘附强度,在550℃退火后Cr和Ti在界面处和铜层发生合金化作用,甚至生成金属间化合物,Cr和Ti元素与Al_2O_3和AlN基体以及铜层具有强的相互作用,过渡层的引入可大幅度提高覆铜层和陶瓷的结合强度,从而有效提高陶瓷覆铜板的使用可靠性。
关键词
直接镀铜
陶瓷基板
陶瓷金属化
Keywords
Direct plated copper
Ceramic substrate
Ceramic metallization
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究
张珊珊
杨会生
颜鲁春
庞晓露
高克玮
李磊
李中正
《真空电子技术》
2016
6
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职称材料
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