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企业之窗丹东电子元件有限公司与飞速发展的PTC热敏电阻产品
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作者 于晓文 刘天磊 《电子元器件应用》 2000年第5期43-43,共1页
关键词 热敏电阻 PTC 电子元件
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用纳米粉制备厚膜敏感陶瓷材料(英文) 被引量:1
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作者 王梦魁 王志凡 刘文磊 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期18-22,26,共6页
重点研究以Ba1-xSrxTiO3和(V1-xCrx)2O3为主要基体的双基体PTC热敏厚膜材料的相关特性。用(V1-xCrx)2O3取代价格昂贵的RuO2和银粉,不仅降低了室温电阻率,消除了非欧姆接触,同时提高了厚膜材料的性能,并显著降低了成本。独立地设计了用... 重点研究以Ba1-xSrxTiO3和(V1-xCrx)2O3为主要基体的双基体PTC热敏厚膜材料的相关特性。用(V1-xCrx)2O3取代价格昂贵的RuO2和银粉,不仅降低了室温电阻率,消除了非欧姆接触,同时提高了厚膜材料的性能,并显著降低了成本。独立地设计了用化学共沉淀方法制备Ba1-xSrxTiO3微粉的两个化学反应方程式,深入分析了聚乙二醇和无水乙醇在制备纳米微粉时所起的防止颗粒发生团聚现象的作用。由于大分子量的聚乙二醇几乎是无毒的[1],对人体基本无毒害作用,因而有广泛的推广价值。 展开更多
关键词 纳米粉 厚膜敏感陶瓷材料 PTC 化学共沉淀方法 Bal-xSrxTiO3 聚乙二醇
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关于Cd-Sb-W和Cd-Sn-W系列敏感陶瓷特性的研究
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作者 王梦魁 刘文磊 +1 位作者 刘连利 杨玉强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期965-967,共3页
重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法.给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdS... 重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法.给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的导电机理和电阻-温度(R-T)曲线呈线性的机理.并对其他相关特性进行了深入的分析和研究. 展开更多
关键词 双基体三相结构 线性 共沉淀 Cd2Sb2O7 CdSnO3
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研制Cd-Sb-W和Cd-Sn-W系列敏感陶瓷的新方法
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作者 王梦魁 杨玉强 +1 位作者 刘文磊 刘连利 《微纳电子技术》 CAS 2005年第1期22-24,36,共4页
重点研究了由CdO-SnO_2-WO_3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb_2O_3-WO_3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd_2Sb_2O_7,CdSnO_3,CdWO_4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd_2Sb_2O_... 重点研究了由CdO-SnO_2-WO_3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb_2O_3-WO_3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd_2Sb_2O_7,CdSnO_3,CdWO_4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd_2Sb_2O_7和CdSnO_3的导电机理和电阻-温度(R-t)曲线呈线性的机理,并对其他相关特性进行了深入的分析和研究。 展开更多
关键词 双基体三相结构 线性 共沉淀 Cd2Sb2O7 CdSnO3
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Y、La及Nb掺杂的BaTiO_3半导体陶瓷的研究 被引量:10
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作者 骆春媛 刘敬肖 +3 位作者 史非 唐乃岭 刘文磊 钱超 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期28-30,共3页
以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了Y、La及Nb掺杂的BaTiO3陶瓷,分析了施主掺杂对样品的室温电阻率ρ25影响规律,探讨了样品的ρ25与施主的含量的关系。研究结果表明:随着施主含量的增加ρ25先增加后减小,当Y、La及Nb含量分别为0... 以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了Y、La及Nb掺杂的BaTiO3陶瓷,分析了施主掺杂对样品的室温电阻率ρ25影响规律,探讨了样品的ρ25与施主的含量的关系。研究结果表明:随着施主含量的增加ρ25先增加后减小,当Y、La及Nb含量分别为0.6 mol%、0.3 mol%和0.3 mol%时ρ25达到最小值;总结了几种不同的施主掺杂的特点,Y掺杂的BaTiO3陶瓷的半导化范围宽,La和Nb掺杂的BaTiO3陶瓷的ρ25较低;提出了双施主掺杂配方的选取原则,当La和Nb的掺杂量分别为0.15 mol%和0.05 mol%时,获得的BaTiO3陶瓷的ρ25最低为4.8Ω·cm。 展开更多
关键词 BATIO3 施主掺杂 室温电阻率
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