VUMOSFET开关电容的研究

VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素.本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用.

N沟道VDMOS器件材料选择

制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。

PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制

不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响。使用等离子体增强化学气相淀积方法,对PECVD生长氮化硅钝化膜的工艺条件进行了实验研究,阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响,获得了生长氮化硅钝化膜的较佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅钝化膜。