铝注入的电力半导体器件产品的优势及其进一步开发

Dynex半导体公司用于功率双极半导体器件制造的铝注入技术(“i2”)的问世得到文献的肯定。本文介绍采用这种技术所获得的各种益处,特别讨论满足增加HVDC(高压直流输电)开关功率的需求、改善整流二极管制造能力、提高脉冲电源的极高电压/极大电流能力,以及大面积晶闸管并联均流的有效参数匹配等重要课题。本文也涉及到器件键合和150mm直径的硅片制造事项。“i2”技术的灵活性最适合于为可预见的未来提供最佳的功率器件。

全烧结型SiC功率模块封装设计与研制（英文）

针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60oC^200oC)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组。测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能。

智能电网应用的大功率IGBT模块技术

近年来IGBT模块技术进步扩展了IGBT应用范围,进入了诸如轨道牵引、HDVC和包括智能电网系统的电能质量等真正的大功率领域。本文着重IGBT技术及其在欧盟UNIFLEX-PM(未来电网通用灵活电能管理先进功率变流器)项目应用情况。