大功率半导体技术现状及其进展

介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。

高次谐波大回旋太赫兹振荡器多模工作特性

设计了一支可工作于4~9次谐波的大回旋太赫兹振荡管,借助于三维粒子模拟,研究了设计的大回旋振荡管注-波互作用机理、高次谐波工作特性、谐波模式间竞争等关键特性。结果表明,通过调节磁场强度,可以在多个相邻谐波处连续激发振荡,实现频率为240 GHz到460 GHz之间的太赫兹波辐射,最大辐射功率为19kW。同时研究了第7、8和9次谐波模式之间的竞争,讨论了实现稳定注-波互作用和高次谐波状态下单模工作的方法。此外,论文还对不同谐波状态下的欧姆损耗功率进行了研究。

单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型

基于目前碳化硅（SiC）外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型,得到了最优控制线,并采用Synopsys/Sentaurus软件进行了仿真验证。在此基础上进一步考虑了外延层厚度和掺杂浓度的影响,并针对常用电压等级的单极型SiC功率器件计算了典型误差值下的最优漂移区参数。计算结果表明,对于不同耐压等级,最优漂移区大致以电压等级每增加100 V厚度则增加1-1.2μm的速度变化。